对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。
主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。EVG850 LT键合机代理价格
Smart View ® NT自动键合对准系统,用于通用对准。
全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准
特色
技术数据
用于通用对准的Smart View NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在**技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。Smart View技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行永/久键合。
特征
适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置)
用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 EVG850 LT键合机代理价格EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对于当今和未来的器件制造是至关重要。
BONDSCALE™自动化生产熔融系统
启用3D集成以获得更多收益
特色
技术数据
EVG BONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广/泛的熔融/分子晶圆键合应用,包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法,例如单片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中,并帮助解决内部设备和系统路线图(IRDS)中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术,与现有的熔融键合平台相比,BONDSCALE**提高了晶圆键合生产率,并降低了拥有成本(CoO)。
根据型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVG GEMINI大批量生产系统中。
键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂,可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数,从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下,可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。 EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度。
EVG ® 805解键合系统
用途:薄晶圆解键合
特色
技术数据
EVG805是半自动系统,用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。
特征
开放式胶粘剂平台
解键合选项:
热滑解键合
解键合
机械解键合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
薄晶圆处理的独特功能
多种卡盘设计,可支撑**/大300 mm的晶圆/基板和载体
高形貌的晶圆处理
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
晶片**/大300 mm
高达12英寸的薄膜
组态
1个解键合模块
选件
紫外线辅助解键合
高形貌的晶圆处理
不同基板尺寸的桥接能力 EVG的 GEMINI系列,在**小占地面积上,一样利用EVG **/高精度的Smart View NT对准技术。河北键合机要多少钱
EVG501 晶圆键合机(系统):真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现**/高产量;研发和试生产的**/低 购置成本。EVG850 LT键合机代理价格
EVG ® 301单晶圆清洗系统,属于研发型单晶圆清洗系统。
技术数据
EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站,该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速,毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能,是一种多功能的研发型系统,适用于灵活的清洁程序和300
mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用,以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸,从而可以轻松设置不同的工艺。 EVG850 LT键合机代理价格
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