EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统
用途：自动单晶片清洗系统，可有效去除颗粒
特色
技术数据
EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外，配置选项还包括兆频，刷子和稀释的化学药品清洗。
特征
多达四个清洁站
全自动盒带间或FOUP到FOUP处理
可进行双面清洁的边缘处理（可选）
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
先进的远程诊断
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程 EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？EVG850 LT键合机键合精度
EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850
LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。 宁夏键合机价格怎么样根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。
BONDSCALE™自动化生产熔融系统
启用3D集成以获得更多收益
特色
技术数据
EVG BONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广/泛的熔融/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决内部设备和系统路线图（IRDS）中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术，与现有的熔融键合平台相比，BONDSCALE**提高了晶圆键合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。
EVG ® 850 TB
自动化临时键合系统
全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上
特色
技术数据
全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加，烘焙，将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样，设备布局是模块化的，这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。
由于EVG的开放平台，因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂，例如旋涂热塑性塑料，热固性材料或胶带。 EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。
EVG ® 850 LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°
结合力：最/高5 N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件） EVG501 晶圆键合机（系统）：真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现最/高产量；研发和试生产的最/低 购置成本。北京键合机代理价格
LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活，用于PAWB（等离子激/活的晶圆键合）。EVG850 LT键合机键合精度
熔融和混合键合系统
熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层永/久连接，该介电层用于工程衬底或层转移应用，例如背面照明的CMOS图像传感器。
混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合，从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。
EVG的熔融和混合键合设备包含：EVG301单晶圆清洗系统；EVG320自动化单晶圆清洗系统；EVG810 LT低温等离子激/活系统；EVG850 LT SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；EVG850 SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；GEMINI FB自动化生产晶圆键合系统；BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 EVG850 LT键合机键合精度
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