EVG ® 520 IS晶圆键合机系统
单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产
特色
技术数据
EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆，适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计，具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
特征
全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项：
高真空能力（1E-6毫巴）
可编程质量流量控制器
集成冷却
技术数据
**/大接触力
10、20、60、100 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：1E-5 mbar
可选：1E-6 mbar
LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活，用于PAWB（等离子激/活的晶圆键合）。广东键合机质量怎么样
EVG ® 850 SOI的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850
SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是唯/一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。 宁夏键合机服务为先GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3键合对准器，是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。
EVG ® 610 BA键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统
特色
技术数据
EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
**适合EVG ® 501和EVG ®
510键合系统
晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm
手动高精度对准台
手动底面显微镜
基于Windows 的用户界面
研发和试生产的**/佳总拥有成本（TCO）
EVG 晶圆键合机上的键合过程
支持全系列晶圆键合工艺对于当今和未来的器件制造是至关重要。键合方法的一般分类是有或没有夹层的键合操作。虽然对于无夹层键合，材料和表面特征利于键合，但为了与夹层结合，键合材料的沉积和组成决定了键合线的材质。
键合机软件支持
基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持，单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复，可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此，我们的服务包括通过安全连接，电话或电子邮件，对包括经过现场验证的，实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持，这得益于我们分布于全球的支持结构，包括三大洲的洁净室空间：欧洲 (HQ), 亚洲 (日本) 和
北美 (美国). EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。
EVG ® 301特征
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
单面清洁刷（选件）
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
选件
带有红外检查的预键合台
非SEMI标准基材的工具
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯 EVG500系列键合机拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。上海SmartView NT键合机
EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。广东键合机质量怎么样
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火（**/高400°C）下的**/高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS） 广东键合机质量怎么样
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