韶关6096J9c赛芯集成MOS 两节锂保

赛芯  3-4串锂电池的保护芯片，XBM5244   芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况芯纳科技推广赛芯微 ic，0V 可充功能保护芯片，满足特殊场景充电需求。韶关6096J9c赛芯集成MOS 两节锂保

XR4981A，深圳市芯纳科技为电子雾化设备企业供应赛芯  在供电系统场景中发挥重要作用。对供电模块的安全性和稳定性要求严苛，赛芯XR4981A的输出电压范围为VIN-36V，能精细匹配雾化器的工作电压，确保烟雾量稳定。实际测试表明，搭载该控制器的，在连续使用1000次后，输出电压波动不超过±2%，避免了因电压不稳导致的雾化芯损坏。其高效的能量转换能力，使电池电量利用率提升6%，单次充电可支持更多次使用，减少了用户充电频率。此外，该控制器具备过流保护功能，当电路出现异常电流时会自动切断输出，降低了的安全隐患。采用QFN封装后，其抗振动性能增强，适应日常携带中的颠簸场景，确保的长期稳定运行，为电子雾化设备的安全使用提供了有力保障。中山6096J9r赛芯代理充电管理、放电保护芯片，电源正负极反接保护，电池极反接保护，兼容大小3mA-1000mA充电电流。

赛芯： XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出

二级保护电路应用场景二级保护电路通常指的是在电子设备中用于防止电压过高或其他异常情况导致设备损坏的电路。以下是二级保护电路的一些常见应用场景：1.电力系统在电力系统中，过压保护电路是至关重要的。当电网中的电压突然增加时，过压保护电路可以保护发电机、变压器和其他关键设备免受过高电压的损害1。2.各种电子设备过压保护电路可以用于保护各种电子设备，如计算机、电话、电视和音频设备等，免受由于电压波动引起的损坏1。3.交通系统在交通系统中，过压保护电路可以保护号灯、电动汽车充电设备和其他交通设施免受供电电压突然升高的损害1。4.工业系统在工业系统中，过压保护电路可以在设备中使用，以保护关键部件和设备免受电压波动和过高电压的损害1。5.通信系统在通信系统中。芯纳科技精选赛芯微 ic，低内阻保护芯片，提升电子设备带载能力。

6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。广州2e1EAB赛芯集成MOS 两节锂保

高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V。韶关6096J9c赛芯集成MOS 两节锂保

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。韶关6096J9c赛芯集成MOS 两节锂保