保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。5、过流保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当负载突然减小,IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。6、短路保护:在P+与P-上接上空负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。DS3056B集成LED显示功能。4-6串可通过外部DC给PVDD供电。XB4092UA2S电源管理ICNTC充电管理

XA2320XA3200XA2320BXA2320C电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。XB4902A3c2芯纳科技供应适用于点读笔的电源管理芯片,适配教育电子产品设计。

是一款固定频率电流模式PWM控制器,CN5815 用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V,驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET),LED电流通过外部电流检测电阻设置。CN5815内部集成有基准电压源单元,误差放大器,330KHz振荡器,斜坡补偿发生器,电流模式PWM控制单元,电感过流保护电路,LED亮度调整单元,芯片关断单元,软启动电路和栅极驱动电路等模块。CN5815采用电流模式PWM控制,改善了瞬态响应特性,简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。其它功能包括芯片关断功能,过压保护,LED亮度调整,内置5V电压调制器和斜坡补偿等。CN5815采用10管脚SSOP封装。
XS5301XS5306XS550是一款集成降压变化器,锂电池充电管理,电池电量指示的多功能电源管理SOC,为USB充干电池提供完整的电源解决方案。XS5301XS5306XS5502充电电流和充电电压可调,支持多种规格锂电池应用,充电电流1A.ZCC5600充电电压和电流根据锂电池温度自动调节,更加安全可靠。放电输出1.5V固定电压,高效率高达93%.待机电流低至3uA以内,支持锂电池长时间待机。·充电电流和充电电压外部电阻调节支持4.2/4.3/4.35/4.4V锂电池充电充电电流400mA-1000mA可调。芯纳科技的电源管理芯片具备过流保护功能,提升设备运行安全稳定性。

锂电池充电管理 IC 的智能充电逻辑
500mA电容式电池主动均衡IC。XB4092UA2S电源管理ICNTC充电管理
芯纳科技xinnasemi的合作成果。在一款电动自行车的锂电池管理中,芯纳科技的锂电池保护IC展现出强大的性能。它不仅能够精细地保护电池免受各种电气故障的威胁,还能与上海芯龙的相关组件良好配合,优化电池的充放电效率,延长电池的使用寿命,提升了电动自行车的整体性能和安全性。拓品微电子与芯纳科技在锂电保护领域积极探索创新。在某无人机锂电池应用中,芯纳科技提供的二合一锂电保护IC结合拓品微电子的独特技术,实现了对电池的精细化管理。在无人机飞行过程中,面对快速的电量消耗和复杂的飞行姿态变化,该保护IC能迅速响应,保障电池安全,确保无人机的稳定飞行和安全返航。XB4092UA2S电源管理ICNTC充电管理
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...