使用了一个 DDR 的设计实例，来讲解如何规划并设计一个 DDR 存储系统，包括从系统性能分析，资料准备和整理，仿真模型的验证和使用，布局布线约束规则的生成和复用，一直到的 PCB 布线完成，一整套设计方法和流程。其目的是帮助读者掌握 DDR 系统的设计思路和方法。随着技术的发展，DDR 技术本身也有了很大的改变，DDR 和 DDR2 基本上已经被市场淘汰，而 DDR3 是目前存储系统的主流技术。
并且，随着设计水平的提高和 DDR 技术的普及，大多数工程师都已经对如何设计一个 DDR 系统不再陌生，基本上按照通用的 DDR 设计规范或者参考案例，在系统不是很复杂的情况下，都能够一次成功设计出可以「运行」的 DDR 系统，DDR 系统的布线不再是障碍。但是，随着 DDR3 通信速率的大幅度提升，又给 DDR3 的设计者带来了另外一个难题，那就是系统时序不稳定。因此，基于这样的现状，在本书的这个章节中，着重介绍 DDR 系统体系的发展变化，以及 DDR3 系统的仿真技术，也就是说，在布线不再是 DDR3 系统设计难题的情况下，如何通过布线后仿真，验证并保证 DDR3 系统的稳定性是更加值得关注的问题。 DDR3一致性测试期间是否会影响计算机性能？江苏测量DDR3测试
浏览选择控制器的IBIS模型，切换到Bus Definition选项卡，单击Add按钮添加一 组新的Buso选中新加的一行Bus使其高亮，将鼠标移动到Signal Names下方高亮处，单击 出现的字母E,打开Signal列表。勾选组数据和DM信号，单击0K按钮确认。
同样，在Timing Ref下方高亮处，单击出现的字母E打开TimingRef列表。在这个列表 窗口左侧，用鼠标左键点选DQS差分线的正端，用鼠标右键点选负端，单击中间的“>>”按 钮将选中信号加入TimingRefs,单击OK按钮确认。
很多其他工具都忽略选通Strobe信号和时钟Clock信号之间的时序分析功能，而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在内的完整的各类信号间的时序关系。如果要仿真分析选通信号Strobe和时钟信号Clock之间的时序关系，则可以设置与Strobe对应的时钟信号。在Clock 下方的高亮处，单击出现的字母E打开Clock列表。跟选择与Strobe -样的操作即可选定时 钟信号。 江苏测量DDR3测试如何选择适用于DDR3一致性测试的工具？
重复步骤6至步骤9,设置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型为 模型文件中的Generic器件。
在所要仿真的时钟网络中含有上拉电阻(R515和R518),在模型赋置界面中找到 这两个电阻，其Device Type都是R0402 47R,可以选中R0402 47R对这类模型统一进行设置,
(12) 选中R0402 47R后,选择Create ESpice Model...按钮,在弹出的界面中单击OK按 钮，在界面中设置电阻模型后，单击OK按钮赋上电阻模型。
同步骤11、步骤12,将上拉电源处的电容(C583)赋置的电容模型。
上拉电源或下拉到地的电压值可以在菜单中选择LogicIdentify DC Nets..来设置。
DDR3拓扑结构规划：Fly・by拓扑还是T拓扑
DDR1/2控制命令等信号，均采用T拓扑结构。到了 DDR3,由于信号速率提升，当负 载较多如多于4个负载时，T拓扑信号质量较差，因此DDR3的控制命令和时钟信号均釆用 F拓扑。下面是在某项目中通过前仿真比较2片负载和4片负载时，T拓扑和Fly-by拓 扑对信号质量的影响，仿真驱动芯片为Altera芯片，IBIS文件 为颗粒为Micron颗粒，IBIS模型文件为。
分别标示了两种拓扑下的仿真波形和眼图，可以看到2片负载 时，Fly-by拓扑对DDR3控制和命令信号的改善作用不是特别明显，因此在2片负载时很多 设计人员还是习惯使用T拓扑结构。 DDR3一致性测试是否适用于特定应用程序和软件环境？
单击Impedance Plot (expanded),展开显示所有网络走线的阻抗彩图。双击彩图 上的任何线段，对应的走线会以之前定义的颜色在Layout窗口中高亮显示。
单击Impedance Table,可以详细查看各个网络每根走线详细的阻抗相关信息，内 容包括走线名称、走线长度百分比、走线阻抗、走线长度、走线距离发送端器件的距离、走 线延时，
单击Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout视图中查看走线的阻抗。在 Layer Selection窗口中单击层名称，可以切换到不同层查看走线阻抗视图。 DDR3一致性测试是否可以修复一致性问题？江苏测量DDR3测试
DDR3一致性测试是否适用于超频内存模块？江苏测量DDR3测试
DDR3信号质量问题及仿真解决案例随着DDR信号速率的升高，信号电平降低，信号质量问题也会变得突出。比如DDR1的数据信号通常用在源端加上匹配电阻来改善波形质量；DDR2/3/4会将外部电阻变成内部ODT；对于多负载的控制命令信号，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4则将采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驱动能力的选择等方面，可以通过仿真 来得到正确驱动和端接，使DDR工作时信号质量改善，从而增大DDRI作时序裕量。江苏测量DDR3测试
