只选择器存储器（SOM）是SK海力士开发的一项突破性创新，重新定义了储存级内存（SCM）的技术边界。这项技术采用硫属化物薄膜制作而成的交叉点存储器器件，可同时执行选择器和存储器的功能。SOM的成功开发彰显了SK海力士在下一代存储技术上的研发实力。与传统的3DXPoint技术相比，SOM表现出突出的性能优势。其写入速度从500纳秒缩短至30纳秒，写入电流也从100微安降低到20微安。此外，循环耐久性从1000万次提升至超过1亿次，体现了SOM在耐用性方面的突出增强。这些性能指标使SOM在AI和高性能计算场景中具有广泛的应用潜力。SK海力士成功研发出了全球**小的SOM，即较早全集成的16nm半间距SOM产品。这一成就展示了公司在半导体工艺微型化方面的技术超前性。随着计算架构逐渐转向以存储为中心的模式，SOM的技术革新将在塑造人工智能和高性能计算未来方面发挥关键作用。 移动工作站配置DDR4存储器保证工作效率。W25Q256JVCAQG闪存存储器
随着物联网技术的发展，各类智能设备对存储器的需求呈现出 “小型化、低功耗、大容量” 的趋势，腾桩电子敏锐捕捉到这一市场变化，积极引入适配物联网场景的新型存储器产品。例如，针对智能穿戴设备，代理了封装尺寸只几毫米的微型存储器，其功耗极低，能够满足设备长续航的需求；针对智能家居设备，如智能摄像头、智能门锁，引入了大容量 NAND Flash 存储器，可支持长时间视频存储、用户数据记录等功能。同时，公司的技术团队还在研究物联网设备中存储器与传感器、通信模块的协同工作方案，帮助客户解决不同元器件集成过程中的技术难点，助力物联网企业快速推出符合市场需求的智能产品，在存储器与新兴技术融合的领域抢占先机 。W949D6DBHA6KG存储器该16Mbit NOR FLASH存储器的散热性能满足常规工作条件。
SK海力士正通过***的产品和技术布局，积极拥抱AI时代的到来。公司成立了名为AIInfra的新部门，负责人工智能（AI）半导体相关业务，这是该公司将更多地专注于高需求**芯片的战略的一部分。这种组织架构调整体现了公司对AI市场的重视。SK海力士致力于演变为全栈人工智能内存供应商，通过提供高质量和多样化性能能力的内存产品，满足人工智能行业的需求。公司的产品路线图包括HBM4、321层NAND闪存以及SOM等新兴存储技术，形成了覆盖不同AI应用场景的完整解决方案。SK海力士表示，通过与客户在AI服务器、数据中心，以及端侧AI等多个领域的紧密合作，及时提供比较好产品，公司正持续强化其作为“***面向AI的存储器供应商”的地位。这种***的战略定位将帮助SK海力士在快速增长的AI存储市场中保持竞争优势，把握未来增长机遇。
低压电力行业的设备，如配电箱、电表、低压开关柜等，长期运行在户外或半户外环境，且面临着电磁干扰、电压不稳定等问题，对存储器的耐用性和抗干扰能力提出了较高要求。腾桩电子针对这一行业的特点，为客户推荐经过特殊工艺处理的存储器产品，这类存储器在电路设计上增加了抗电磁干扰模块，能够减少电力设备运行过程中产生的电磁信号对数据存储的影响；在封装工艺上采用了防潮、防腐蚀的材料，适应户外潮湿、多尘的环境。存储器在低压电力设备中主要用于存储用电负荷数据、设备故障记录、电表计量信息等，这些数据是电力部门进行用电管理、故障排查、电费核算的依据，其稳定存储直接关系到低压电力系统的正常运行，腾桩电子通过提供适配的存储器产品，为低压电力行业的稳定发展提供了基础支撑 。winbond华邦的嵌入式存储解决方案支持并行处理，提高数据存取效率。
WINBOND华邦存储器的嵌入式DRAM产品针对空间受限与实时性要求高的工业系统设计。其SDRAM系列支持比较高200MHz时钟频率与16位数据位宽，通过多Bank交错访问隐藏预充电延迟，提升内存控制器的数据访问效率。在实时控制场景中，WINBOND华邦存储器的嵌入式DRAM提供可配置CAS延迟（CL=2或3）与多种突发长度（1/2/4/8/全页），适应不同应用的时序需求。工业级型号支持-40℃至85℃工作温度，确保在恶劣环境下稳定运行。WINBOND华邦存储器的嵌入式DRAM广泛应用于PLC、运动控制器与车载导航等场景。腾桩电子可提供时序参数配置与PCB布局建议，帮助客户提升系统性能与信号完整性。 评估SAMSUNG(三星)EMMC存储器需综合考量性能、寿命、成本等多方面因素。W97BH2MBVA1E存储器咨询
圣邦微 DCDC 转换器相关应用中，腾桩电子可提供配套的存储器产品。W25Q256JVCAQG闪存存储器
SK海力士正积极布局下一代存储技术，以应对AI时代对存储性能和容量日益增长的需求。公司计划将HBM4量产时间提前至2025年，体现了其对技术创新的持续追求。未来，HBM4技术将进一步发展，计划于2026年推出16层堆叠的版本。在NAND闪存领域，SK海力士已开始量产321层2TbQLCNAND闪存产品，并计划于2026年上半年正式进入AI数据中心市场。这种高容量NAND闪存将满足AI应用对数据存储的巨大需求，为公司开辟新的市场机会。SK海力士还致力于新兴存储技术的研究，如*选择器存储器（SOM）。这项突破性的创新重新定义了储存级内存（SCM），并增强了公司在面向AI的存储产品阵容方面的实力。随着计算架构逐渐转向以存储为中心的模式，SOM的技术革新将在塑造人工智能和高性能计算未来方面发挥关键作用。 W25Q256JVCAQG闪存存储器
