超声影像芯片的全集成MEMS设计与性能突破：针对超声PZT换能器及CMUT/PMUT新型传感器的收发需求，公司开发了**SoC超声收发芯片，采用0.18mm高压SOI工艺实现发射与开关复用，大幅节省芯片面积的同时提升性能。在发射端，通过MEMS高压驱动电路设计，实现±100V峰值输出电压与1A持续输出电流，较TI同类产品提升30%，满足深部组织成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采样率可达100Msps，信噪比（SNR）达73.5dB，有效提升弱信号检测能力。芯片采用多层金属布线与硅通孔（TSV）技术，实现3D堆叠集成，封装尺寸较传统方案缩小40%。在二次谐波抑制方面，通过优化版图布局与寄生参数补偿，将5MHz信号的二次谐波降至-40dBc，优于行业基准-45dBc，***提升图像分辨率。目前TX芯片已完成流片，与掌上超声企业合作开发便携式超声设备，可实现腹部、心血管等部位的实时成像，探头尺寸*30mm×20mm，重量＜50g，推动超声诊断设备向小型化、智能化迈进，助力基层医疗场景普及。MEMS是一种现代化的制造技术。黑龙江MEMS微纳米加工组成
MEMS超表面对光电特性的调控：1.超表面meta-surface对相位的调控：相位是电磁波的一个重要属性，等相位面决定了电磁波的传播方向，一副图像的相位则包含了其立体信息。通过控制电磁波的相位，可以实现光束偏转、超透镜、超全息、涡旋光产生、编码、隐身、幻像等功能。2.超表面meta-surface对电磁波多个自由度的联合调控：超表面可以实现对电磁波相位、振幅、偏振等自由度的同时调控。比如，通过对电磁波的相位和振幅的联合调控，可以实现立体超全息，通过对电磁波的相位和偏振的联合调控，可以实现矢量涡旋光；通过对电磁波的相位和频率的联合调控，可以实现非线性超透镜等功能。3.超表面meta-surface对波导模式的调控：可将“超构光学”的概念与各类光波导平台相结合，将超构表面或超构材料集成在各类光波导结构上，则可以在亚波长尺度下对波导中的光信号进行灵活自由的调控。利用上表面集成了超构表面的介质光波导结构，可以实现多功能的光耦合、光探测、偏振/波长解复用、结构光激发、波导模式转化、片上光信号变换、光学神经网络、光路由等应用。北京MEMS微纳米加工结构MEMS制作工艺中，以PI为特色的柔性电子出现填补了不少空白。
MEMS 微纳米加工的高精度特性，对质量管控提出严苛要求，深圳市勃望初芯半导体科技有限公司建立全流程质量管控体系，确保每一件器件的性能稳定。原材料检测环节，对采购的硅片、PI 薄膜、金属靶材等进行严格筛选，如硅片的平整度误差需小于 1μm，PI 薄膜的厚度均匀性误差控制在 ±5%；加工过程管控，通过实时监控光刻曝光剂量、刻蚀时间等关键参数，每批次抽取 10% 样品进行尺寸检测（使用扫描电子显微镜，精度 0.1nm），确保结构尺寸符合设计要求；成品测试环节，针对不同器件类型制定专项测试标准 —— 生物医疗器件需通过生物兼容性测试（如细胞毒性、溶血率），光学器件需检测透光率与波长调控精度，工业传感器需测试环境适应性（如 - 40℃至 85℃温度循环）。在微流控芯片代工项目中，公司对每片芯片进行密封性测试（通入 0.5MPa 气压，保压 30 分钟无泄漏）与流体阻力测试，确保微通道无堵塞；同时，依托 ISO 标准管理体系，每批产品均提供详细的检测报告与工艺记录，实现全流程可追溯，这种严格的质量管控，让勃望初芯的 MEMS 加工服务赢得生物医疗、科研客户的长期信任。
主要由传感器、作动器（执行器）和微能源三大部分组成，但现在其主要都是传感器比较多。
特点：
1.和半导体电路相同，使用刻蚀，光刻等微纳米MEMS制造工艺，不需要组装，调整；
2.进一步的将机械可动部，电子线路，传感器等集成到一片硅板上；
3.它很少占用地方，可以在一般的机器人到不了的狭窄场所或条件恶劣的地方使用4.由于工作部件的质量小，高速动作可能；
5.由于它的尺寸很小，热膨胀等的影响小；
6.它产生的力和积蓄的能量很小，本质上比较安全。 PDMS 金属流道加工技术可在柔性流道内沉积金属镀层，实现电化学检测与流体控制一体化。
光学领域上面较成功的应用科学研究主要集中在两个方面:一是基于MOEMS的新型显示、投影设备，主要研究如何通过反射面的物理运动来进行光的空间调制，典型标识为数字微镜阵列芯片和光栅光阀。二是通信系统，主要研究通过微镜的物理运动来控制光路发生预期的改变，较成功的有光开关调制器、光滤波器及复用器等光通信器件。MOEMS是综合性和学科交叉性很强的高新技术，开展这个领域的科学技术研究，可以带动大量的新概念的功能器件开发。MEMS的磁敏感器是什么？黑龙江新型MEMS微纳米加工
MEMS的主要材料是什么？黑龙江MEMS微纳米加工组成
MEMS制作工艺深硅刻蚀即ICP刻蚀工艺：硅等离子体刻蚀工艺的基本原理干法刻蚀是利用射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子，对硅片进行物理轰击及化学反应，以选择性的去除我们需要去除的区域。被刻蚀的物质变成挥发性的气体，经抽气系统抽离，然后按照设计图形要求刻蚀出我们需要实现的深度。干法刻蚀可以实现各向异性，垂直方向的刻蚀速率远大于侧向的。其原理如图所示，生成CF基的聚合物以进行侧壁掩护，以实现各向异性刻蚀刻蚀过程一般来说包含物理溅射性刻蚀和化学反应性刻蚀。对于物理溅射性刻蚀就是利用辉光放电，将气体解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被蚀刻物的表面，而将被蚀刻物质原子击出(各向异性)。对于化学反应性刻蚀则是产生化学活性极强的原(分)子团，此原(分)子团扩散至待刻蚀物质的表面，并与待刻蚀物质反应产生挥发性的反应生成物(各向同性)，并被真空设备抽离反应腔黑龙江MEMS微纳米加工组成
