湿度稳定性：湿度过高可能导致光学镜片表面结露、金属部件锈蚀、光刻胶特性改变；湿度过低则容易产生静电，吸附尘埃污染晶圆和设备。精确的湿度控制对确保工艺稳定性和材料性能至关重要。3、chao低振动：光刻机在曝光时需要极高的稳定性。任何来自地面（交通、施工、人员走动）、设备自身（空调、泵）或建筑物（风载荷）的振动，都会直接导致光学系统抖动，使投影到硅片上的图形模糊或位置偏移。因此，光刻机通常安装在深达地下的单独地基或高性能主动/被动隔震平台上，甚至采用磁悬浮等技术进行主动减振。 极测（南京）高精密环境控制设备确保实验结果的准确性和可靠性，满足光刻机、加速器等设备的恒温需求。毫K级精密温控柜
这款高精密环控柜是我司单独研发的精密环境控制设备，可达成ISOClass1-6级洁净度，以及±0.1℃、±0.05℃、±0.01℃、±0.002℃等多级温度波动控制精度。依托全场景非标定制能力，能满足用户在温湿度稳定性、洁净度、抗微振、防磁、隔音等多方面的个性化需求。设备具备运行数据实时记录与查询功能，并配备自动安全防护系统，确保长期稳定运行。其构成包括主柜体、控制系统、气流循环系统、洁净过滤器、制冷（热）系统、照明系统及局部气浴等，专为光刻机、激光干涉仪等精密测量与制造设备，提供超高精度的温湿度及洁净度工作环境。该系统采用“外环境保障相对湿度、大环境稳定绝dui含湿量”的逻辑，通过精zhun控温实现仓内湿度达标。为满足严苛要求，采用大风量小温差设计，快速循环过滤空气并带走余热，使关键区域温度波动低至±0.002℃；同时通过多级控温（表冷盘降温+多级电加热升温），将精度从±0.1℃逐步提升至±0.002℃。辽宁精密测量精密温控极测精密环控柜采用自主研发的高精度制冷/加热控制系统，能够实现高温度精度和稳定性（±2mK）。
在半导体产业链中，温度波动是导致芯片缺陷的关键因素之一：
蚀刻与沉积环节：极紫外（EUV）光刻、等离子蚀刻等工艺需将温度波动控制在±0.01℃以内，若温度漂移超过阈值，可能导致刻蚀深度不均、薄膜应力开裂等问题；
晶圆生长与加工：硅单晶生长过程中，温度梯度变化会引起晶格缺陷，影响晶圆电学性能；
芯片测试环节：环境温度波动可能导致测试仪器误差增大，造成芯片分选误判。极测精密水冷冷冻水机组以±0.001℃控温精度（远超行业标准）及动态负载适应能力，精zhun解决上述痛点，成为半导体工艺的“温度守护者”。
在光学领域，干涉仪扮演着无可替代的 “基准量具” 角色。其测量精度直接受到工作环境的影响，包括温度、湿度、气压波动等影响因素，尤其是温度控制的细微偏差，都可能成为测量结果失准的 “系统性误差源”。极测（南京）自研生产的精密环控系统，为干涉仪打造稳定的外部运行环境，包括精密温度控制，以及湿度稳定性，气压稳定性，噪声等。同时针对内部腔体区域采用局部气浴的模式，保证内部检测腔环境的稳定性，是许多半导体企业的选择。极测（南京）技术有限公司依托母公司南京拓展科技有限公司在实验室专业领域的沉淀不断壮大。
光刻机是半导体制造中的关键设备，其功能是通过光学投影方式，将掩模版上的集成电路图形精确转移到涂有光刻胶的晶圆表面，实现电路图形的图形化转移工序。在芯片制造流程中，光刻环节是蕞为复杂且成本高昂的工艺步骤，其成本占晶圆制造总成本的三分之一，耗时占比达到 40%-60%，直接决定了芯片的制程精度与生产良率。其关键原理是利用高能激光作为光源，光束穿透掩模版后，经过聚光镜系统进行 1/16 比例的缩小，随后精zhun聚焦于晶圆表面，使光刻胶发生感光反应，从而完成电路图形的高精度复制。相当于在头发丝上刻出一座城市的地图，其复杂程度和技术挑战可想而知，也对运行使用环境有极高的要求。系统可实现蕞高ISO Class 1级的洁净环境（每立方米≥0.1μm颗粒物≤10个）。极测精密温控房
我们的解决方案集成了精密温控、洁净控制、湿度控制（蕞高±0.3%RH）、及抗微振功能的综合环境配套系统。毫K级精密温控柜
在高duan制造与科研领域，温度控制的微小偏差正在扼杀技术突破：半导体光刻环节：极紫外（EUV）光刻机要求冷却水温度波动≤±0.001℃。传统机组温度控制±0.5℃的精度会导致光刻胶形变，造成纳米级线宽偏差，单次工艺损失超$50万。冷冻电镜（Cryo-EM）成像：生物样本温度控制需在-180℃下维持±0.1℃稳定性。温度波动超过阈值会使冰晶破坏蛋白质结构，3D重建分辨率从3Å劣化至8Å，研究成果价值归零。高功率激光加工：光纤激光器温度控制漂移＞±0.02℃时，热透镜效应导致光束焦点偏移20μm，碳钢切割断面粗糙度增加300%，废品率飙升。技术本质：传统水冷机组受限于PID控制滞后性、换热器结垢衰减、单点故障风险，无法满足超精密场景的温度控制“零容忍”需求。毫K级精密温控柜
