广州GEN3测试系统批发

5G/6G通信芯片的“时序显微镜” 5G/6G基站与终端芯片对信号时序精度要求极高，微小抖动即可导致通信中断。杭州国磊GT600配备高精度TMU（时间测量单元），分辨率高达10ps（0.01纳秒），相当于光在3毫米内传播的时间，能精细捕捉高速信号边沿的微小偏移。这一能力对于验证基带芯片、射频前端、AD/DA转换器的时序一致性至关重要。杭州国磊GT600还可通过可选AWG板卡生成高保真模拟信号，测试芯片在复杂调制模式下的响应性能。其400MHz测试速率与100ps边沿精度，确保能覆盖PCIe、USB、MIPI等高速接口的协议测试需求。在通信技术快速迭代的背景下，杭州国磊GT600以“皮秒级”测量能力，为国产通信芯片的性能与稳定性提供精细验证，助力中国在6G赛道抢占先机。国磊GT600SoC测试机有灵活的硬件配置和开放的软件平台，适配多种工艺节点、封装形式和功能架构的SoC。广州GEN3测试系统批发

 PPMU功能实现每引脚**电源管理测试 智能驾驶SoC通常包含多个电源域，以实现动态功耗管理。杭州国磊GT600每通道集成PPMU（每引脚参数测量单元），支持FIMV/FIMI/FVMI/FVMV四种工作模式，可**控制每个引脚的电压施加与电流测量。这一能力对于验证芯片在低功耗休眠、唤醒切换、电压骤降等场景下的行为至关重要。例如，在模拟车辆启动瞬间电源波动时，GT600可精确监测各电源域的电流响应，确保SoC不会因电源异常导致功能失效或安全风险。福州CAF测试系统厂家供应国磊GT600SoC测试机可用于执行电压裕量测试（VoltageMargining），评估芯片在电压波动下的稳定性。

数据中心芯片的“能效裁判” 在“双碳”目标下，数据中心能耗成为焦点，芯片能效比（Performance per Watt）成为**指标。杭州国磊GT600通过PPMU精确测量AI加速芯片、服务器CPU的静态与动态功耗，结合FVMI（强制电压测电流）模式，绘制完整的功耗-性能曲线，帮助设计团队优化电压频率调节（DVFS）策略。其FIMV模式还可检测芯片在高负载下的电压跌落，防止因供电不稳导致死机。杭州国磊GT600支持长时间稳定性测试，模拟数据中心7x24小时运行场景，筛选出“耐力型”芯片。512站点并行测试大幅降低单颗芯片测试时间与成本，适配万片级量产需求。杭州国磊GT600不仅是性能的验证者，更是能效的“精算师”，助力国产芯片在绿色计算时代赢得市场。

    车规级MEMS传感器包括用于ESP车身稳定系统的高g加速度计、发动机歧管压力传感器等，需满足AEC-Q100认证。杭州国磊（Guolei）支持点：支持-40℃~125℃环境应力测试（通过GPIB/TTL对接温箱）；高可靠性测试流程（如HAST、HTOL前后的参数对比）；数据自动记录为STDF格式，便于车厂追溯与良率分析；每引脚PPMU检测早期失效（如漏电流异常）。生物医疗MEMS如植入式压力传感器、微流控芯片控制器，对低功耗与长期稳定性要求极高。杭州国磊（Guolei）支持点：nA级静态电流测量（PPMU）；**噪声激励与采集，避免干扰生物信号；支持长期老化测试中的周期性参数回读。杭州国磊（Guolei）SoC测试系统不直接测试MEMS的机械或物理特性（如谐振频率、Q值、位移等），但***覆盖MEMS产品中不可或缺的电子控制与信号处理部分——即配套ASIC/SoC的功能、性能与可靠性验证。在消费电子、汽车电子、工业物联网和新兴智能硬件领域，杭州国磊（Guolei）GT600已成为国产MEMS厂商实现高精度、高效率、低成本、自主可控测试的重要平台，有力支撑中国MEMS产业链从“制造”向“智造”升级。 国磊GT600提供测试向量转换工具，支持从传统模拟测试平台迁移测试程序，降低工程师学习成本与导入周期。

可穿戴设备的“微功耗**” AI眼镜、智能手表等可穿戴设备依赖电池供电，对SoC功耗极其敏感。一颗芯片若待机漏电超标，可能导致设备“一天三充”。杭州国磊GT600的PPMU可精确测量nA级静态电流（Iddq），相当于每秒流过数亿个电子的微小电流，能识别芯片内部的“隐形漏电点”。通过FVMI模式，杭州国磊GT600可在不同电压下测试芯片功耗，验证其电源门控（Power Gating）与休眠唤醒机制是否有效。其高精度测量能力确保只有“省电体质”的芯片进入量产。同时，杭州国磊GT600支持混合信号测试，可验证传感器融合、语音唤醒等低功耗功能。在追求“轻薄长续航”的可穿戴市场，杭州国磊GT600以“微电流级”检测能力，为国产芯片的用户体验提供底层保障。国磊GT600SoC测试机支持GT-AWGLP02任意波形发生器板卡，THD达-122dB，适用于HBMSerDes接收端灵敏度测试。金华PCB测试系统研发公司

国磊GT600可以进行电压裕量测试（VoltageMargining）即动态调整供电电压，验证芯片在电压波动下的稳定性。广州GEN3测试系统批发

国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡，每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可为每个域分配**SMU通道，实现各电源域**上电/断电、不同电压值（如1.8V、1.2V、0.9V）同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间，精确设置各域电压的上升延迟（精度达ms级），验证SoC在正确与错误时序下的行为，确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗，可用于识别某电源域的异常功耗（如漏电、短路）、分析不同工作模式（运行、睡眠、唤醒）下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压（如±5%波动），测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性，评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源（如高压模拟域），可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块，实现与GT600内部SMU的同步操作，构建完整的多电源域测试系统。广州GEN3测试系统批发