金华CAF测试系统按需定制

当前，AI大模型与高性能计算正以前所未有的速度推动HBM（高带宽存储器）技术爆发式增长。HBM3、HBM3E成为英伟达、AMD、华为等巨头AI芯片的标配，全球需求激增，市场缺口持续扩大。然而，HBM不**改变了芯片架构，更对后端测试提出了前所未有的挑战——高引脚数、高速接口、复杂时序与电源完整性要求，使得传统测试设备难以胜任。国磊GT600测试机应势而生，专为应对HBM时代**SoC测试难题而设计。它不是直接测试HBM芯片，而是**服务于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能验证与量产测试，成为国产**ATE在HBM浪潮中的关键支撑力量，助力中国芯突破“内存墙”背后的“测试墙”。国磊GT600在400MHz速率下测试SerDes、GPIO、I2C、SPI、UART等接口的通信功能完成高速接口功能验证。金华CAF测试系统按需定制

工业物联网的“量产引擎” 工业物联网（IIoT）设备对芯片的可靠性与成本极为敏感，且需求量大。杭州国磊GT600的512站点并行测试能力，可一次测试512颗MCU或传感器芯片，极大提升测试吞吐量，***降低单颗测试成本。据行业测算，同测数每翻一倍，测试成本可下降30%以上。杭州国磊GT600支持长时间老化测试，筛选出能在高温、高湿、强电磁干扰环境下稳定运行的“工业级”芯片。其GTFY系统支持STDF数据导出，可无缝对接工厂MES系统，实现良率分析与智能制造。杭州国磊GT600以“高效率、高可靠、低成本”的优势，为国产IIoT芯片的大规模量产提供强大引擎，助力中国智造走向全球。广州PCB测试系统按需定制GT600可验证谷歌TPU、华为昇腾等定制化AI芯片复杂电源门控网络、多电压域上电时序与高密度I/O功能。

当全球HBM市场由三星、SK海力士主导，当先进封装技术成为“卡脖子”关键，国产测试设备的自主可控显得尤为重要。国磊GT600测试机，正是在这一背景下崛起的国产**ATE**。它不**性能对标国际**设备，更以高性价比、本地化服务与持续创新能力，赢得国内头部AI芯片企业的信赖。GT600成功应用于多款集成了HBM接口的GPU与AI加速器测试，验证了其在**领域的实战能力。选择GT600，不**是选择一台测试机，更是选择一条自主可控的国产化路径。国磊GT600——智测HBM芯时代，赋能中国算力新未来！

国磊（Guolei）的SoC测试机（如GT600）虽然主要面向高性能系统级芯片（SoC）的数字、模拟及混合信号测试，但其技术能力与MEMS（微机电系统）领域存在多维度、深层次的联系。尽管MEMS器件本身结构特殊（包含机械微结构、传感器/执行器等），但在实际应用中，绝大多数MEMS芯片都需与**ASIC或SoC集成封装（如惯性测量单元IMU、麦克风、压力传感器等），而这些配套电路的测试正是国磊SoC测试机的**应用场景。MEMS-ASIC协同封装的测试需求，现代MEMS产品极少以“裸传感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的异质集成方案。例如，加速度计/陀螺仪中的MEMS结构负责感知物理量，而配套的ASIC则完成信号调理、模数转换、温度补偿和数字接口输出。这类ASIC往往具备高精度模拟前端（如低噪声放大器、Σ-Δ ADC）、可编程增益控制和I²C/SPI数字接口，属于典型的混合信号SoC。 国磊GT600配备24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引脚参数测量单元及TMU时间测量功能，可***验证此类MEMS配套ASIC的线性度、噪声性能、时序响应和电源抑制比，确保传感器整体精度与可靠性。现代低功耗SoC普遍采用动态电压频率调节以平衡性能与能耗。国磊GT600可通过使用SMU动态切换供电电压。

杭州国磊GT600支持比较高400MHz测试速率，意味着每秒可执行4亿次信号激励与采样，这是验证现代高速SoC的基石。在智能手机场景中，麒麟芯片的LPDDR5内存接口、PCIe 4.0存储总线、USB4高速传输均工作在GHz级频率。GT600的400MHz速率虽非直接运行在接口全速，但足以覆盖其协议层的功能测试与时序验证。通过“降频测试+向量仿真”，GT600能精确捕捉信号边沿、验证数据完整性。在AI芯片测试中，该速率可驱动NPU**进行高吞吐矩阵运算测试，确保算力达标。400MHz还支持复杂状态机跳转、多模块协同仿真，避免因测试速率不足导致功能覆盖缺失。这一参数使GT600能胜任从5G通信到边缘计算的各类高速芯片验证，成为国产**SoC量产的“***道高速关卡”。国磊GT600可用于执行电压裕量测试（VoltageMargining），评估芯片在电压波动下的稳定性。杭州国磊高阻测试系统价格

GT600通过多SMU同步控制与TMU测量，验证各域电压建立时间符合设计时序否。若顺序错，可能闩锁或功能异常。金华CAF测试系统按需定制

高精度模拟测试能力匹配MEMS信号链要求，MEMS传感器输出信号微弱（如微伏级电容变化或纳安级电流），对测试系统的本底噪声和分辨率要求极高。国磊（Guolei）GT600可选配的GT-AWGLP02 AWG板卡具备**-122dB THD**（总谐波失真）和110dB SNR（信噪比），能生成超纯净激励信号；同时其Digitizer支持20~24位采样，可精确捕获微弱响应。这种能力对于测试MEMS麦克风的灵敏度、压力传感器的满量程输出或磁力计的偏置稳定性至关重要。支持低功耗与宽电压范围测试 许多MEMS器件用于可穿戴设备、物联网节点等电池供电场景，对功耗极为敏感。国磊（Guolei）GT600的GT-DPSMV08电源板卡支持**-2.5V ~ +7V、1A**输出，并具备每引脚**电源控制（PPMU），可精确测量待机/工作/休眠各模式下的电流（nA~mA级），验证MEMS-SoC是否满足ULP（**功耗）设计目标，这对通过终端产品能效认证（如Energy Star）具有直接价值。金华CAF测试系统按需定制