企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出多节锂电池保护电路, XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。北京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保

北京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保,赛芯

XBM2138QFA  移动电源应用两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节:保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能南京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保芯纳科技作为赛芯芯片代理,XBM3214BCA 现货供应,满足客户多样化采购需求。

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2串锂电池的保护芯片  XBM3214  芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路,支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能,具备25mV过充电检测精度,采用SOT23-6封装多串锂电池保护IC概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点,在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言,过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常,影响电池使用寿命。因此,多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池,避免出现危险状况

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商,在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高,赛芯 XR4981A 采用超小封装设计,能完美适配智能手表、手环等紧凑空间,同时低功耗特性可有效延长设备续航时间,满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障,作为官方授权代理商,芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源,可避免因原厂供货波动导致的断供风险,确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。太阳能充电管理方案芯片。

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140W移动电源方案主要分为分立协议芯片(DS6336)和三合一SoC方案 支持多口充、共享C口等场景,需满足3C认证并集成多重保护机制。支持2C1A三口同时放电;ØC口比较大PD3.1-140W双向充放电;ØA口比较大22.5W放电;ØTFT彩屏实时显示功率及其它参数;Ø支持6串锂电池;Ø支持软硬件方案定制;Ø支持USB口升级程序;Ø支持NTC温度检测;Ø支持过充、过放、过流、过温保护;支持多种快充协议、6串锂电池,软件可根据具体项目修改电池总容量参数带电池正负极反接保护的充电管理。佛山XBM5244 赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

芯纳科技提供赛芯芯片代理服务,XBM325 现货在售,保障客户生产需求。北京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保

 XBM4530系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出。北京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保

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保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计,锂电保护的GND接电池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的,VT脚通常可接芯片GND(B-),或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与,滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰,使得VDD电压尽量稳定,该电阻和电容缺一不可,缺少任何一个都会有少烧芯片的可能,增加生产的不良率(XB5432不加电容)。不同IC的电阻取值有差异,请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应...

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