企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能7串-10串 多节电池保护芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。上海XBM325赛芯集成MOS 两节锂保

上海XBM325赛芯集成MOS 两节锂保,赛芯

集成均衡NTC/Sense保护芯片、XBM7101  10串锂电池保护芯片介绍,功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:10串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能南京6096J9j赛芯内置MOS 两节锂保芯纳科技是赛芯芯片代理服务商,XBM5773 现货充足,保障客户生产连续性。

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XR4981A,深圳市芯纳科技为电子雾化设备企业供应赛芯  在供电系统场景中发挥重要作用。对供电模块的安全性和稳定性要求严苛,赛芯XR4981A的输出电压范围为VIN-36V,能精细匹配雾化器的工作电压,确保烟雾量稳定。实际测试表明,搭载该控制器的,在连续使用1000次后,输出电压波动不超过±2%,避免了因电压不稳导致的雾化芯损坏。其高效的能量转换能力,使电池电量利用率提升6%,单次充电可支持更多次使用,减少了用户充电频率。此外,该控制器具备过流保护功能,当电路出现异常电流时会自动切断输出,降低了的安全隐患。采用QFN封装后,其抗振动性能增强,适应日常携带中的颠簸场景,确保的长期稳定运行,为电子雾化设备的安全使用提供了有力保障。

DS3056 快充管理是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理SOC,集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计,I2C通信等功能模块,支持2-6串电芯,比较大100W充电功率,支持CC-CV切换,支持主流快充协议,并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。可组成小家电和电动工具的快充充电方案。集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护:电池充电过程中,实时监测输入电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭充电通路。过流保护:充电过程中,利用内部的高精度实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,触发过流保护,芯片自动关闭充电通路。过温保护:电池充放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时,首先降低功率。,则自动关闭充电通路。电池过充保护:充电过程中,实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时。6串-7串 XBM5773 集成均衡/PWM、/NTC/Sense/SSOP24。

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 35W以内、XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节:保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能、XBM2138QFA芯纳科技提供赛芯芯片代理服务,XBM3214DBA 型号现货在售,货源稳定可靠。南京XBM4451赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

芯纳科技专注赛芯芯片代理,XBM5244 型号现货充足,助力客户优化采购流程。上海XBM325赛芯集成MOS 两节锂保

保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计,锂电保护的GND接电池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的,VT脚通常可接芯片GND(B-),或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与,滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰,使得VDD电压尽量稳定,该电阻和电容缺一不可,缺少任何一个都会有少烧芯片的可能,增加生产的不良率(XB5432不加电容)。不同IC的电阻取值有差异,请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等,可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个,可以增强锂电保护电路的系统级ESD,增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用,减小内阻,增强持续电流,多芯片并联使用时,芯片VDD的RC网络,电阻可共用,但电容须要一个保护芯片配一个电容。上海XBM325赛芯集成MOS 两节锂保

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