杭州导电阳极丝测试系统研发

    GT600SoC测试机在测试高可靠性产品（如车规芯片、工业级MCU、航天电子、医疗设备芯片）时，展现出精度、***性、稳定性与可追溯性四大**优势，确保产品在极端环境下长期稳定运行。首先，高精度参数测量是可靠性的基石。GT600配备每通道PPMU（参数测量单元），可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），识别因制造缺陷导致的微小漏电或潜在短路。这种“亚健康”芯片在常温下可能功能正常，但在高温或长期使用后极易失效。GT600通过精密筛查，提前剔除隐患，大幅提升产品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性测试项目。GT600可配合温控系统进行高温老化测试（Burn-in），在高温高压下运行芯片数百小时，加速暴露早期缺陷。其浮动SMU电源板卡能模拟车载12V/24V或工业设备的复杂电源环境，验证芯片在电压波动、负载突变下的稳定性。对于通信类高可靠产品，高精度TMU（10ps分辨率）可检测信号时序漂移，确保长期通信无误码。再次，高稳定性与长周期测试能力。GT600硬件设计冗余，散热优良，支持7x24小时连续运行，可执行长达数周的耐久性测试，模拟产品十年生命周期。128M向量深度确保长周期测试程序不中断，数据完整。***，数据可追溯性强。 国磊半导体致力于为全球客户提供高性能的测试解决方案。杭州导电阳极丝测试系统研发

AI眼镜SoC普遍采用40nm以下工艺，集成高精度ADC、DAC、PLL、LDO等模拟模块，用于麦克风阵列信号采集、骨传导音频输出与电源稳压。国磊GT600测试机支持可选配GT-AWGLP02任意波形发生器（THD-122dB，SNR110dB）与20/24bit分辨率Digitizer，可用于语音前端信号链的INL、DNL、THD、SNR等参数测试，确保AI语音识别输入的准确性。其高精度浮动SMU板卡支持宽电压范围输出，可用于LDO负载调整率、PSRR及上电时序验证，保障音频与传感模块的电源稳定性。GT600的模块化16插槽架构支持数字、模拟、混合信号板卡混插，实现从NPU到传感器接口的一站式测试，避免多设备切换带来的数据割裂。珠海PCB测试系统参考价从实验室验证到量产测试，我们提供全流程支持。

数据中心芯片的“能效裁判” 在“双碳”目标下，数据中心能耗成为焦点，芯片能效比（Performance per Watt）成为**指标。杭州国磊GT600通过PPMU精确测量AI加速芯片、服务器CPU的静态与动态功耗，结合FVMI（强制电压测电流）模式，绘制完整的功耗-性能曲线，帮助设计团队优化电压频率调节（DVFS）策略。其FIMV模式还可检测芯片在高负载下的电压跌落，防止因供电不稳导致死机。杭州国磊GT600支持长时间稳定性测试，模拟数据中心7x24小时运行场景，筛选出“耐力型”芯片。512站点并行测试大幅降低单颗芯片测试时间与成本，适配万片级量产需求。杭州国磊GT600不仅是性能的验证者，更是能效的“精算师”，助力国产芯片在绿色计算时代赢得市场。

Chiplet时代的“互联验证者” Chiplet（芯粒）技术通过将大芯片拆分为小芯片再集成，突破摩尔定律瓶颈，成为先进制程的重要方向。然而，小芯片间的高速互联（如UCIe）对信号完整性、功耗、时序提出极高要求。杭州国磊GT600凭借400MHz测试速率与100ps边沿精度，可精确测量Chiplet间接口的信号延迟与抖动。其高精度SMU可验证微凸块（Micro-bump）的供电稳定性，检测微小电压降。PPMU则用于测量封装后各芯粒的**功耗，确保能效优化。杭州国磊GT600的模块化设计也便于扩展，可针对不同芯粒配置**测试板卡。在Chiplet技术快速发展的***，杭州国磊GT600以高精度互联验证能力，为国产先进封装芯片的可靠性与性能保驾护航。国磊GT600的SMU覆盖从高压IO（3.3V）到低电压he心（0.6V~1.2V）的多种电源域，适配不同节点供电要求。

面对国产手机芯片动辄数千万乃至上亿颗的年出货量，传统“单颗或小批量测试”模式早已无法满足产能与成本需求。国磊GT600凭借512站点并行测试能力，开创“集体考试”新模式——512颗芯片同步上电、同步输入测试向量、同步采集响应、同步判定Pass/Fail，测试效率呈指数级提升。这不仅将单位时间产出提高数十倍，更大幅缩短新品从试产到大规模铺货的周期，抢占市场先机。更重要的是，测试成本（CostofTest）是芯片总成本的重要组成部分。据半导体行业经验数据，同测数（ParallelTestSites）每翻一倍，单颗芯片测试成本可下降30%~40%。国磊GT600的512站点能力，相较传统32或64站点设备，成本降幅可达70%以上，为国产手机SoC在激烈市场竞争中赢得价格优势。国磊GT600以“高速（400MHz）+高密度（512通道）+高并行（512Sites）”三位一体架构，构建起支撑国产**芯片量产的“超级测试流水线”，可以让中国芯不仅“造得出”，更能“测得快、卖得起、用得稳”。国磊GT600可用于测量电源上电时序（PowerSequencing），确保多域电源按正确顺序激发，避免闩锁效应。高性能CAF测试系统研发

国磊GT600的128M向量存储深度，支持长时间采集模拟信号动态行为，适用于锁相环（PLL）、振荡器等测试。杭州导电阳极丝测试系统研发

杭州国磊GT600 SoC测试机在车规芯片测试中扮演着“全生命周期可靠性卫士”的关键角色，其应用贯穿从研发验证到量产的全过程，精细满足AEC-Q100等严苛标准。 首先，国磊GT600的**优势在于其高精度参数测量能力。 其每通道集成的PPMU（参数测量单元）可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），这是车规芯片的**指标。微小漏电可能在高温或长期使用后演变为功能失效，国磊GT600通过精密筛查，确保芯片在-40℃至150℃宽温域内“零漏电”，大幅提升产品早期可靠性。 其次，国磊GT600***支持AEC-Q100关键测试项目。 在高温工作寿命测试（HTOL）中，国磊GT600可配合温控系统，在150℃高温下对芯片施加高压并连续运行1000小时以上，验证其长期稳定性。其浮动SMU电源板卡能精细模拟车载12V/24V供电系统，验证电源管理单元（PMU）在电压波动、负载突变下的响应能力，防止“掉电重启”。杭州导电阳极丝测试系统研发