SIR测试系统制作

杭州国磊推出的GM8800多通道绝缘电阻测试系统，是践行“为半导体产业发展尽绵薄之力”使命的具体体现。该系统具备业界**的256通道测试能力，电阻测量范围覆盖10^4~10^14Ω，测量精度高，能够精细表征各类绝缘材料、电子元件、PCB板在直流偏压和环境应力下的绝缘性能退化行为，特别是对导电阳极丝（CAF）现象进行有效监测与预警。GM8800提供从1.0V到3000V的宽范围、高精度测试电压，内置电源稳定可靠，外接高压扩展方便，电压控制精度优异，上升速度快，且测试电压稳定时间可调（1~600秒），为用户提供了高度灵活的测试条件模拟能力。系统集成实时电流检测和温湿度监控功能，数据采集***，并通过完全屏蔽的线缆系统保证测量准确性。其智能软件平台提供从测试设置、自动执行到数据分析、报告生成的全流程服务，并支持远程监控。在系统保护方面，多重报警机制和UPS选项确保了长时间测试的无忧进行。相较于进口设备，GM8800在实现技术性能对标的同时，***降低了用户的购置与运维成本，并且能够提供更快速、更贴身的本地化技术支持与定制服务，完美契合国内新能源汽车、储能、通信、医疗电子等行业对**可靠性测试设备的迫切需求，是推动国产化替代战略落地的坚实力量。国磊GT600SoC测试机提供测试向量转换工具，支持从主流商用ATE平台迁移HBM相关测试程序，降低导入成本。SIR测试系统制作

国际数据公司（IDC）预测的人工智能服务器市场高速增长（2024年1251亿美元→2028年2227亿美元），本质上是高算力芯片（GPU、ASIC）在功耗、密度与可靠性层面极限挑战的集中体现。每一块AI加速卡背后，都是数百瓦功耗、数千电源引脚、多级电压域、复杂电源门控与瞬态电流管理的设计博弈。而这些，正是国磊GT600SoC测试机凭借其高精度电源与功耗验证能力，**切入并把握产业机遇的技术支点。AI芯片普遍采用7nm/5nm等先进工艺，静态漏电（Leakage）随工艺微缩呈指数增长。国磊GT600通过每通道PPMU，支持nA级静态电流测量，可**识别G**SIC在待机、休眠模式下的异常漏电，确保电源门控（PowerGating）机制有效，避免“隐形功耗”拖累整机能效。其高精度浮动SMU板卡支持-2.5V~7V宽电压输出，可**控制AI芯片的Core、Memory、I/O等多电源域，验证上电时序（PowerSequencing）与电压裕量（VoltageMargining），防止因电源顺序错误导致的闩锁或功能失效。上海CAF测试系统研发电源门控模块在唤醒时快速供电进入状态。GT600利用GT-TMUHA04测量从门控信号到模块输出有效信号的时间。

    对国产车而言，其自研车规级MCU（微控制器）与功率半导体是智能汽车“大脑”与“肌肉”的**，必须通过AEC-Q100、AEC-Q101等汽车行业**严苛的可靠性认证，确保在-40℃~150℃极端温度、高湿、强振动、长期高负载等恶劣环境下仍能稳定运行十年以上。国磊GT600SoC测试机正是这一“车规级体检”的关键设备。其每通道PPMU（精密参数测量单元）可精细测量nA级静态漏电流（Iddq），识别芯片内部微小缺陷或工艺波动导致的“潜伏性失效”，从源头剔除“体质虚弱”的芯片；同时支持引脚级开路/短路测试，确保封装无瑕疵。更关键的是，国磊GT600可选配浮动SMU电源板卡，能灵活模拟车载12V/24V供电系统，验证MCU在电压波动、负载突变等真实工况下的电源管理能力，防止“掉电重启”或“逻辑错乱”。此外，国磊GT600支持高温老化测试（Burn-in）接口，可配合温控系统进行早期失效筛选，大幅提升车载芯片的长期可靠性。在汽车“缺芯”与“安全至上”的双重背景下，国磊GT600可以为国产车构建从研发到量产的高可靠测试闭环，守护每一程出行安全。

现代手机SoC是高度集成的“微型超级计算机”，一颗芯片内融合了CPU（**处理器）、GPU（图形处理器）、NPU（神经网络引擎）、ISP（图像信号处理器）、基带（5G/4G通信模块）、内存控制器、电源管理单元等数十个功能模块，协同完成从AI计算、高清拍照到高速联网的复杂任务。这对测试设备提出了“全能型”要求。国磊GT600凭借512个高速数字通道，可并行激励与捕获CPU/GPU的逻辑响应，验证运算正确性；通过可选配AWG（任意波形发生器）板卡，可生成高保真模拟图像信号，精细测试ISP对色彩、噪声、动态范围的处理能力；再结合高精度TMU（时间测量单元，分辨率10ps），可精确捕捉基带芯片收发信号的时间抖动与延迟，确保5G通信的稳定性和低时延。16个通用插槽支持灵活配置，让国磊GT600能像“变形金刚”一样，针对不同模块组合比较好测试方案，真正实现“一机通测”，***保障国产**SoC的功能完整性与性能可靠性。导电阳极丝（CAF）现象是导致电路失效的重要原因之一。

国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡，每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可为每个域分配**SMU通道，实现各电源域**上电/断电、不同电压值（如1.8V、1.2V、0.9V）同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间，精确设置各域电压的上升延迟（精度达ms级），验证SoC在正确与错误时序下的行为，确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗，可用于识别某电源域的异常功耗（如漏电、短路）、分析不同工作模式（运行、睡眠、唤醒）下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压（如±5%波动），测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性，评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源（如高压模拟域），可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块，实现与GT600内部SMU的同步操作，构建完整的多电源域测试系统。GM8800导电阳极丝测试系统，精确测量高达10^14Ω的绝缘电阻。GEN测试系统市价

国磊GT600向量存储深度32/64/128M，支持长Pattern测试序列，适用于带数字校准功能的智能传感器芯片。SIR测试系统制作

杭州国磊半导体设备有限公司GM8800导电阳极丝（CAF）测试系统是国产**半导体测试装备的重大成就，其性能指标直接对标国际**水平。该系统支持高达256个**通道的同步测试，电阻测量范围横跨10^4~10^14Ω，精度控制在±3%~±10%之间，能够满足**苛刻的绝缘材料与PCB板的CAF效应评估需求。GM8800提供极其灵活和精确的电压施加能力，内置0V~±100V精密源，外接偏置电压可达3000V，电压控制精度***，步进调节细腻，电压建立速度快，并允许用户设置1~600秒的稳定时间以确保测试条件的一致性。系统集成 comprehensive 数据采集功能，同步监测记录所有相关参数（时间、电阻、电流、电压、温湿度），并通过专业软件进行自动化处理、分析和存储，支持远程访问与控制。其设计高度重视安全性与可靠性，内置低阻、过压、温湿度越限、AC断电、系统死机等多重报警机制，并可连接UPS提供长达120分钟的断电保护。与价格昂贵的英国GEN3系统相比，GM8800在**功能与性能上实现***超越对标，更在系统总拥有成本、通道扩展性、定制化能力以及本土技术服务响应效率上具备压倒性优势，已成为国内众多**制造企业与研究机构替代进口、实现供应链自主的优先方案。SIR测试系统制作