广东GEN测试系统供应

“风华3号”作为全球**支持DICOM高精度灰阶医疗显示的GPU，对模拟输出精度、色彩一致性与时序稳定性要求极为严苛。国磊GT600测试机支持可选配GT-AWGLP02任意波形发生器（THD-122dB，SNR110dB）与高分辨率Digitizer板卡，可用于验证GPU模拟视频输出链路的信号完整性与动态性能。其20/24bit分辨率支持对ADC/DAC、PLL、LVDS接口等关键模块的INL、DNL、Jitter等参数进行精确测量，确保医疗显示场景下的灰阶过渡平滑与色彩还原准确。国磊GT600测试机的模块化16插槽架构支持数字、AWG、TMU、SMU板卡混插，实现从GPU**到显示输出的端到端测试闭环。工艺微缩致亚阈值漏电栅极漏电增加，微小漏电异常缩短电池寿命，GT600快速筛选出“坏芯”，确保量产良率。广东GEN测试系统供应

杭州国磊推出的GM8800多通道绝缘电阻测试系统，是践行“为半导体产业发展尽绵薄之力”使命的具体体现。该系统具备业界**的256通道测试能力，电阻测量范围覆盖10^4~10^14Ω，测量精度高，能够精细表征各类绝缘材料、电子元件、PCB板在直流偏压和环境应力下的绝缘性能退化行为，特别是对导电阳极丝（CAF）现象进行有效监测与预警。GM8800提供从1.0V到3000V的宽范围、高精度测试电压，内置电源稳定可靠，外接高压扩展方便，电压控制精度优异，上升速度快，且测试电压稳定时间可调（1~600秒），为用户提供了高度灵活的测试条件模拟能力。系统集成实时电流检测和温湿度监控功能，数据采集***，并通过完全屏蔽的线缆系统保证测量准确性。其智能软件平台提供从测试设置、自动执行到数据分析、报告生成的全流程服务，并支持远程监控。在系统保护方面，多重报警机制和UPS选项确保了长时间测试的无忧进行。相较于进口设备，GM8800在实现技术性能对标的同时，***降低了用户的购置与运维成本，并且能够提供更快速、更贴身的本地化技术支持与定制服务，完美契合国内新能源汽车、储能、通信、医疗电子等行业对**可靠性测试设备的迫切需求，是推动国产化替代战略落地的坚实力量。国产替代高阻测试系统精选厂家GM8800是进行PCB板CAF（导电阳极丝）测试的理想选择！

当前，AI大模型与高性能计算正以前所未有的速度推动HBM（高带宽存储器）技术爆发式增长。HBM3、HBM3E成为英伟达、AMD、华为等巨头AI芯片的标配，全球需求激增，市场缺口持续扩大。然而，HBM不**改变了芯片架构，更对后端测试提出了前所未有的挑战——高引脚数、高速接口、复杂时序与电源完整性要求，使得传统测试设备难以胜任。国磊GT600测试机应势而生，专为应对HBM时代**SoC测试难题而设计。它不是直接测试HBM芯片，而是**服务于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能验证与量产测试，成为国产**ATE在HBM浪潮中的关键支撑力量，助力中国芯突破“内存墙”背后的“测试墙”。

GM8800导电阳极丝（CAF）测试系统是杭州国磊半导体设备有限公司针对**绝缘材料可靠性测试推出的主力产品，该系统集成了多通道并行测量、高精度电阻采集和实时环境监控等先进功能。其硬件平台可配置**多16块高性能测试板卡，轻松实现256个测试点的同步或**运行，电阻测量范围覆盖10^6Ω至10^14Ω，并可在8S内完成全部通道的扫描与数据处理，极大提升了高阻测试的效率。系统支持0V~±100V内置电源与1V~3000V外置偏置电压的灵活组合，电压控制精度在100V以内达±0.05V，并具备100V/2ms的快速电压爬升能力，可精细模拟各类苛刻的电场环境。在安全机制方面，GM8800提供包括AC断电、软件死机、温湿度超限等在内的多重报警保护，并可选配30~120分钟的UPS后备电源，确保长时间测试不受电网波动影响。相较于英国GEN3等进口设备，GM8800在通道数量、电压适应范围和综合使用成本上优势***，特别适合国内PCB制造商、车载电子供应商和材料实验室用于CAF效应研究、绝缘材料寿命评估等高精度测试场景，是实现**测试设备国产化替代的可靠选择。国磊GT600SoC测试机提供测试向量转换工具，支持从主流商用ATE平台迁移HBM相关测试程序，降低导入成本。

AI芯片在推理或训练突发负载下，电流可在微秒级剧烈波动，易引发电压塌陷（VoltageDroop）。国磊GT600SoC测试机支持高采样率动态电流监测，可捕获电源门控开启瞬间的浪涌电流（InrushCurrent）与工作过程中的瞬态功耗波形，帮助设计团队优化去耦电容布局与电源完整性（PI）设计。其128M向量响应存储深度支持长时间功耗行为记录，用于分析AI工作负载的能耗模式。现代AISoC集成CPU、NPU、HBM、SerDes等模块，引脚数常超2000。国磊GT600支持**2048个数字通道与400MHz测试速率，可完整覆盖AI芯片的I/O接口功能验证。其512Sites高并行测试架构**提升测试吞吐量，降低单颗芯片测试成本，满足AI服务器芯片大规模量产需求。
国磊GT600凭高精度参数测量、多域电源控制与可编程软件平台，支持从90nm到7nm主流工艺节点电源门控测试。广东GEN3测试系统供应

国磊GT600SoC测试机高精度浮动SMU板卡可实现HBM接口电源域的电压裕量（VoltageMargining）与功耗测试。广东GEN测试系统供应

杭州国磊半导体设备有限公司自主研发推出CAF测试系统GM8800。系统集成±100V内置电源与3000V外置高压模块，采用三段式步进电压技术：0-100V区间0.01V微调、100-500V步进0.1V、500-3000V步进1V。电压精度达±0.05V（1-100VDC），结合100V/2ms超快上升速度，精细模拟电动汽车电控浪涌冲击。1MΩ保护电阻与1-600秒可编程稳定时间，有效消除容性负载误差。测试范围覆盖10⁴-10¹⁴Ω，其中10¹⁴Ω极限测量精度±10%，为SiC功率模块提供实验室级绝缘验证方案。广东GEN测试系统供应