无锡CAF测试系统按需定制

国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡，每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可为每个域分配**SMU通道，实现各电源域**上电/断电、不同电压值（如1.8V、1.2V、0.9V）同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间，精确设置各域电压的上升延迟（精度达ms级），验证SoC在正确与错误时序下的行为，确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗，可用于识别某电源域的异常功耗（如漏电、短路）、分析不同工作模式（运行、睡眠、唤醒）下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压（如±5%波动），测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性，评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源（如高压模拟域），可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块，实现与GT600内部SMU的同步操作，构建完整的多电源域测试系统。您的产品需要经历高温高湿环境的考验吗？无锡CAF测试系统按需定制

手机续航是用户体验的生命线，而功耗控制的**在于SoC芯片的“健康度”与“效率”。国磊GT600凭借其每通道**PPMU（精密参数测量单元），可对芯片每个引脚进行nA（纳安）级静态电流（Iddq）测量，相当于为芯片做“微电流心电图”，精细识别因制造缺陷导致的微小漏电——这些“隐形耗电大户”在待机时也会悄悄吞噬电量。通过筛查剔除“高漏电”芯片，国磊GT600确保只有“省电体质”的质量芯片进入量产。不仅如此，国磊GT600支持FVMI（强制电压测电流）模式，可在不同电压条件下模拟真实使用场景——如游戏高负载、多摄像头同时工作、5G高速下载等——动态测量芯片功耗曲线，验证其电源管理单元是否能智能调节电压频率，实现性能与功耗的比较好平衡。同时，其FIMV（强制电流测电压）模式还能检测芯片在极限负载下的电压跌落，防止因供电不稳导致死机或重启。通过静态+动态、微观+宏观的功耗全景测试，国磊GT600可以为国产手机SoC筑起“续航防火墙”，让每一毫安时电量都用在刀刃上。杭州国磊CAF测试系统市场价格国磊GT600可使用AWG生成模拟输入信号，Digitizer捕获输出，计算INL、DNL、SNR、THD等指标。

国磊半导体GM8800多通道绝缘电阻测试系统是国产**仪器替代进口的典范。该系统支持比较高256个测试点的同步监测，电阻测量范围覆盖10^4~10^14Ω，精度依据不同区间控制在±3%至±10%，性能指标对标国际前列产品。GM8800提供从1V到3000V的宽范围可编程偏置电压，内置电源精度优异，外接高压稳定可靠，电压上升速度快，并可设置1~600秒的测试电压稳定时间，确保测试条件的精确性与可重复性。系统具备***的数据采集能力，实时监测并记录电阻、电流、电压、温度、湿度等所有关键参数，采用完全屏蔽线缆以保障信号。其软件平台功能强大，提供测试控制、实时显示、历史数据分析、报警管理、报告生成及远程访问等功能。在系统保护方面，GM8800设计了完善的报警机制（涵盖低阻、测试状态、环境条件、电源、软件健康度）和UPS断电保护选项。相较于价格高昂的英国GEN3设备，GM8800在提供同等***性能的同时，***降低了用户的初始投资和长期持有成本，并且凭借公司本地化的优势，能够提供更及时、更有效的技术支持和定制化服务，完美满足新能源汽车、储能系统、5G通信、航空航天等领域对高性能绝缘可靠性测试设备的迫切需求，加速了产业链的自主可控进程。

杭州国磊半导体设备有限公司推出的GM8800导电阳极丝（CAF）测试系统，是一款集高性能、高可靠性、高灵活性于一体的国产**测试装备。该系统最大支持256通道分组**测试，电阻测量范围宽至10^4~10^14Ω，测量精度高，能够灵敏、准确地捕捉绝缘材料在直流高压和湿热环境下的电阻退化现象，为评估其耐CAF性能提供定量依据。GM8800提供精确可调的电压应力，内置0V~±100V精密电源，外接偏置电压比较高达3000V，电压输出稳定且精度高，步进调节精细，并具备快速的电压建立能力。系统测试参数设置灵活，间隔时间、稳定时间、总时长均可按需配置，并集成实时温湿度监控与多重安全报警功能（如低阻、电压异常、停机、断电、软件故障），确保长期测试的安全与连续。配套软件提供全自动测试控制、数据采集、图形化分析、报告导出及远程监控功能，操作简便。与进口品牌如英国GEN3相比，GM8800在**测试能力上毫不逊色，而在通道数量、购置成本、使用灵活性以及本土技术服务响应方面具有明显优势，非常适合国内PCB行业、汽车电子制造商、学术研究机构及第三方实验室用于材料鉴定、工艺优化和质量可靠性验证，是实现关键测试设备国产化替代的理想选择。高中端国产替代测试系统，用户高性价比的选择！

AI眼镜作为下一代可穿戴计算终端，正面临“功能丰富度、续航时长、设备重量”三者难以兼得的工程难题。为实现语音交互、实时翻译、环境感知与轻量化设计，其**SoC必须在极小面积内集成CPU、NPU、DSP、蓝牙/Wi-Fi射频、传感器接口与电源管理模块，同时在先进工艺节点下实现**静态功耗。这类高度集成的异构SoC对测试设备提出了严苛要求：不**需验证复杂功能逻辑，更要精确测量nA级漏电流、微瓦级动态功耗及多电源域切换时序。国磊GT600测试机支持每通道PPMU，可实现nA级IDDQ测量，**识别SoC在睡眠模式下的漏电异常，确保续航能力不受“隐形功耗”拖累。GT600通过多SMU同步控制与TMU测量，验证各域电压建立时间符合设计时序否。若顺序错，可能闩锁或功能异常。广东高阻测试系统供应商

国磊GT600SoC测试机支持GT-AWGLP02任意波形发生器板卡，THD达-122dB，适用于HBMSerDes接收端灵敏度测试。无锡CAF测试系统按需定制

    AI加速芯片（如思元系列）专为云端推理与边缘计算设计，**诉求是“高算力密度、***能效比、毫秒级稳定响应”。这类芯片往往集成数千个AI**与高速互联总线，测试复杂度高、功耗敏感、量产规模大，传统测试设备难以兼顾效率与精度。国磊GT600凭借512站点并行测试能力，可同时对512颗芯片进行功能与参数验证，极大缩短测试周期，摊薄单颗芯片成本——这对动辄数万片出货的数据中心级芯片而言，意味着数千万级成本优化。在功耗控制上，国磊GT600的PPMU单元可精确测量芯片在待机、轻载、满载等多场景下的静态与动态电流，结合FVMI（强制电压测电流）模式，验证芯片在不同电压域下的功耗表现，确保其在7x24小时运行的数据中心中实现“每瓦特算力比较大化”。同时，其高精度TMU（时间测量单元，10ps分辨率）可检测AI**间数据同步的时序抖动，避免因时钟偏移导致的推理错误或延迟波动，保障AI服务的稳定低时延。 无锡CAF测试系统按需定制