重庆数据链至盛ACM2188现货

氮化镓作为宽禁带半导体材料，其禁带宽度（3.4eV）是硅（1.1eV）的3倍，这意味着在相同电压下，GaN器件的击穿场强更高，可设计更薄的漂移层，从而大幅降低导通电阻。ACM8815集成的GaN MOSFET在4Ω负载下，10% THD+N条件下可输出200W功率，而传统硅基D类功放需外接散热器才能实现同等功率，且效率通常低于85%。GaN的开关频率可达MHz级（ACM8815实测开关频率1.2MHz），远高于硅基器件的几百kHz，这使得输出滤波器体积缩小60%以上，同时降低EMI干扰。此外，GaN的零温度系数特性（导通电阻随温度变化极小）确保了ACM8815在-40℃至125℃宽温范围内功率稳定性，这是汽车音响等极端环境应用的关键。至盛12S数字功放芯片内置自举电路设计，省去外部升压二极管，BOM成本降低15%。重庆数据链至盛ACM2188现货

ACM3221作为至盛ACM推出的***一代单声道D类音频功率放大器，其**参数聚焦于高效率与低功耗的平衡。该芯片支持2.5V至5.5V宽电压输入，可覆盖单节锂电池（3.7V）到5V USB供电的典型应用场景。在5V供电下，驱动4Ω负载时输出功率达3.2W（1% THD+N），驱动8Ω负载时为1.4W，满足小型音箱、蓝牙耳机等设备的功率需求。其静态功耗低至1.15mA（3.7V时），待机功耗可压缩至1.5μA，较前代产品降低40%，***延长便携设备的续航时间。封装方面提供两种选择：9引脚WLP（1.0mm×1.0mm）和8引脚DFN（2.0mm×2.0mm），其中DFN封装厚度*0.3mm，适配智能手表、TWS耳机等对空间极度敏感的穿戴设备。湖南至盛ACM供应商ACM8816在音频放大器领域，提供高保真、高效率的功率放大解决方案。

    在智能音箱领域，至盛 ACM 芯片表现优良。以天猫精灵 X6 智能音箱采用的 ACM8628M 芯片为例，它采用新型 PWM 脉宽调制架构，有效降低静态功耗，提高能源利用效率，延长智能音箱续航时间。芯片内置 DSP 可实现主动分频、延时处理、EQ 调试等功能，对数字音频信号精确控制，实现出色音质表现。同时，能与智能音箱中的其他芯片，如全志 R328 智能语音处理器协同工作，为用户提供流畅语音交互与品质高的音乐播放体验。其高集成度减少外围电路元件，降低智能音箱生产与设计成本，提升产品竞争力 。

ACM8815内置32位浮点DSP**，运行频率达200MHz，支持I2S/TDM数字音频输入（采样率8kHz-192kHz，位宽16bit-32bit）。DSP引擎包含五大功能模块：动态范围控制（DRC）：通过分段压缩算法，将输入信号动态范围压缩至功放输出能力范围内，避免削波失真。例如，在输入信号峰值超过-3dB时，DRC以10ms攻击时间、100ms释放时间逐步降低增益，确保THD+N始终低于0.1%。31段参数均衡器（PEQ）：支持用户自定义频点（20Hz-20kHz）、增益（±15dB）和Q值（0.1-10），可针对扬声器频响曲线进行精确补偿。例如，在100Hz处提升3dB以增强低音冲击力，或在5kHz处衰减2dB以抑制高频刺耳感。限幅保护（Limiter）：实时监测输出电流，当负载短路或过载时，限幅电路在1μs内将输出电压钳位至安全值（如38V PVDD下钳位至36V），防止GaN MOSFET损坏。温度补偿算法：通过内置NTC热敏电阻监测芯片结温，当温度超过100℃时，自动降低增益0.5dB/℃，确保功率稳定性。I2S/TDM协议解析：支持左对齐、右对齐、I2S标准格式，以及TDM模式下的多通道同步传输（**多8通道），兼容主流数字音频处理器（如AKM AK4499、ESS ES9038PRO）。至盛 ACM 芯片以其独特优势，在耳放产品中营造出沉浸式的听觉体验。

除了高效率和大电流输出外，ACM5618还具备轻载高效模式和丰富的保护机制。轻载高效模式使得芯片在轻负载条件下也能保持较高的效率，而保护机制则包括欠压/过压保护、逐周期限流和过温保护等，确保芯片在异常情况下能够安全关断，避免损坏。ACM5618采用了QFN-FC-13（3.5mm×3mm）封装，这种小巧的封装形式进一步减小了PCB的使用面积。同时，由于芯片外部无需额外的元件，因此可以**简化PCB的布局和布线工作，提高生产效率。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载，致力于新产品的开发与设计，热情欢迎大家莅临本公司参观考察，共同探讨音界的美妙。至盛 ACM 芯片为温度控制器提供精确控制，保障设备稳定运行。湖南国产至盛ACM8629

至盛 ACM 芯片在数模混合电路设计上独具匠心，为模拟功放、耳放等产品注入强大性能。重庆数据链至盛ACM2188现货

ACM8815通过三大创新实现无散热器设计：GaN材料低热阻：芯片采用Flip-Chip封装，GaN裸片直接焊接在PCB铜基板上，热阻（RθJA）*10℃/W（传统硅基D类功放热阻>40℃/W）。在200W输出时，芯片结温升高*20℃（假设环境温度25℃，PCB铜箔面积≥1000mm²）。动态功率分配：DSP引擎实时监测输入信号功率，当信号功率低于50W时，自动切换至“低功耗模式”，关闭部分H桥MOSFET以减少静态损耗。热仿真优化：通过ANSYS Icepak软件对芯片进行三维热仿真，发现热量主要集中于GaN裸片区域。优化方案包括：在PCB对应位置铺设2oz铜箔，增加导热孔密度（每平方毫米2个），以及在芯片下方使用导热系数>3W/m·K的导热胶。实测在25℃环境温度下，200W连续输出1小时后，芯片结温稳定在110℃（远低于150℃结温极限）。重庆数据链至盛ACM2188现货