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晶闸管模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
晶闸管模块企业商机

    750V通态平均电流IT(AV):5A比较大通态电压VT:3V(IT=30A)比较大反向导通电压VTR:<比较大门极触发电压VGT:4V比较大门极触发电流IGT:40mA关断时间toff:μs通态电压临界上升率du/dt:120V/μs通态浪涌电流ITSM:80A利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项:1.检查逆导性选择万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极(参见图3(a)),电阻值应为5~10Ω。若阻值为零,证明内部二极管短路;电阻为无穷大,说明二极管开路。2.测量正向直流转折电压V(BO)按照(b)图接好电路,再按额定转速摇兆欧表,使RCT正向击穿,由直流电压表上读出V(BO)值。3.检查触发能力实例:使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻,同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR(实际是二极管正向电压VF)。再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(BO)值。全部数据整理成表1。由此证明被测RCT质量良好。注意事项:(1)S3900MF的VTR<,宜选R×1档测量。(2)若再用读取电流法求出ITR值,还可以绘制反向伏安特性。①一般小功率晶闸管不需加散热片,但应远离发热元件。正高电气以质量为生命”保障产品品质。吉林可控硅集成调压模块配件

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    按规定应采用风冷的模块而采用自冷时,则电流的额定值应降低到原有值的30~40[%],反之如果改为采用水冷时,则电流的额定值可以增大30~40[%]。为了帮助用户合理选择散热器和风机,我们确定了不同型号模块在其额定电流工作状态下,环境温度为40℃时所需的散热器长度、风机规格、数量及散热器基础参数等,请参考说明书。另外,在表内出具了每个型号的模块在峰值压降、比较大标称电流和阻性负载条件下的功耗值,以便于用户自己确定散热器尺寸时做参考。在实际应用中,应注意以下几点:(1)轴流风机风速应≥6m/s。(2)若模块达不到满负荷工作,可酌减散热器长度。(3)在设备开机前,应检查模块所有螺钉是否牢固,若有松动,应拧紧螺钉,以使模块底板和散热器表面以及模块电极和接线端子之间都能够紧密接触,达到比较好散热效果。(4)采用自然冷却形式时,必须保证散热器周围的空气能够自然对流。(5)因水冷散热效果好,有水冷条件的,应优先水冷散热形式。吉林可控硅集成调压模块配件正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。

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晶闸管模块的散热方法

晶闸管模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗和栅极损耗组成。在工频或400Hz以下的更多应用是传导损耗。为了保证器件的长期可靠运行,散热器及其冷却方式的选择与功率半导体模块设计中电流、电压额定值的选择同等重要,不容忽视!散热器常用的散热方法有:自然空冷、强制空冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热的一般原则是,控制模块中管芯的连接温度Tj不超过产品数据表中给出的额定连接温度。

选择晶闸管模块散热器必须考虑的元素:

1、晶闸管模块的工作电流决定了所需的冷却面积。

2、晶闸管模块的使用环境。根据使用环境冷却条件来确定何种冷却方式,包括自然冷却、强制风冷和水冷。

3、设备的形状和体积,为散热预留空间的大小,根据这种情况来确定散热器的形状。

    1晶闸管模块被广泛应用于工业行业中,对于一些专业的电力技术人员,都知道晶闸管模块的来历及各种分类。不过现在从事这一行的人越来越多,有的采购人员对这方面还不是很了解。有的客户也经常问起我们晶闸管模块的来历。现在晶闸管厂家昆二晶就为大家分享一下:2晶闸管模块诞生后,其结构的改进和工艺的,为新器件的不断出现提供了条件。1964年,双向晶闸管在GE公司开发成功,应用于调光和马达控制;1965年,小功率光触发晶闸管出现,为其后出现的光耦合器打下了基础;60年代后期,大功率逆变晶闸管问世,成为当时逆变电路的基本元件;1974年,逆导晶闸管和非对称晶闸管研制完成。3普通晶闸管广泛应用于交直流调速、调光、调温等低频(400Hz以下)领域,运用由它所构成的电路对电网进行控制和变换是一种简便而经济的办法。不过,这种装置的运行会产生波形畸变和降低功率因数、影响电网的质量。目前水平为12kV/1kA和6500V/4000A。4双向晶闸管可视为一对反并联的普通晶闸管的集成,常用于交流调压和调功电路中。正、负脉冲都可触发导通,因而其控制电路比较简单。其缺点是换向能力差、触发灵敏度低、关断时间较长,其水平已超过2000V/500A。正高电气公司可靠的质量保证体系和经营管理体系,使产品质量日趋稳定。

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    晶闸管一般指晶体闸流管晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。中文名晶闸管外文名Thyristo目录1种类2工作原理3工作条件4工作过程5注意事项6如何保护晶闸管晶体闸流管种类编辑(一)按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。。二)按引脚和极性分类晶体闸流管晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。。正高电气以其独特且具备设计韵味的产品体系。上海单相整流调压模块哪家好

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    3)换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行保护等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有较高的频率,因此常用电容作为吸收元件,为防止振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路比较好选用无感电容,接线应尽量短。。5)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。吉林可控硅集成调压模块配件

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