MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测：
光电导取样光电导取样是基于光导天线(photoconductiveantenna,PCA)发射机理的逆过程发展起来的一种探测THz脉冲信号的探测技术。如要对THz脉冲信号进行探测，首先，需将一个未加偏置电压的PCA放置于太赫兹光路之中，以便于一个光学门控脉冲(探测脉冲)对其门控。其中，这个探测脉冲和泵浦脉冲有可调节的时间延迟关系，而这个关系可利用一个延迟线来加以实现，尔后，用一束探测脉冲打到光电导介质上，这时在介质中能够产生出电子-空穴对(自由载流子)，而此时同步到达的太赫兹脉冲则作为加在PCA上的偏置电场，以此来驱动那些载流子运动，从而在PCA中形成光电流。用一个与PCA相连的电流表来探测这个电流即可， 硅片、LN 等基板金属电极加工工艺，通过溅射沉积与剥离技术实现微米级电极图案化。中国澳门MEMS微纳米加工扣件
热敏柔性电极的PI三明治结构加工技术：热敏柔性电极采用PI（聚酰亚胺）三明治结构，底层PI作为柔性基板，中间层为金属电极，上层PI实现绝缘保护，开窗漏出Pad引线位置，兼具柔韧性与电学性能。加工过程中，首先在25μm厚度的PI基板上通过溅射沉积5μm厚度的铜/金电极层，利用光刻胶作为掩膜进行湿法刻蚀，形成10-50μm宽度的电极图案，线条边缘粗糙度＜1μm；然后涂覆10μm厚度的PI绝缘层，通过激光切割开设引线窗口，窗口定位精度±5μm；***经300℃高温亚胺化处理，提升层间结合力（剥离强度＞10N/cm）。该电极的弯曲半径可达5mm，耐弯折次数＞10万次，表面电阻＜5Ω/□，适用于可穿戴体温监测、心率传感器等设备。在医疗领域，用于术后伤口热敷的柔性加热电极，可通过调节输入电压实现37-42℃精细控温，温度均匀性误差＜±0.5℃，避免局部过热损伤组织。公司支持电极图案的个性化设计，可集成热电偶、NTC热敏电阻等传感器，实现“感知-驱动”一体化，推动柔性电子技术在医疗健康与智能设备中的广泛应用。青海高科技MEMS微纳米加工MEMS常见的产品-压力传感器。
高压SOI工艺在MEMS芯片中的应用创新：高压SOI（绝缘体上硅）工艺是制备高耐压、低功耗MEMS芯片的**技术，公司在μm节点实现了发射与开关电路的集成创新。通过SOI衬底的埋氧层（厚度1μm）隔离高压器件与低压控制电路，耐压能力达200V以上，漏电流＜1nA，适用于神经电刺激、超声驱动等高压场景。在神经电子芯片中，高压SOI工艺实现了128通道**驱动，每通道输出脉冲宽度1-1000μs可调，幅度0-100V可控，脉冲边沿抖动＜5ns，确保精细的神经信号调制。与传统体硅工艺相比，SOI芯片的寄生电容降低40%，功耗节省30%，芯片面积缩小50%。公司优化了SOI晶圆的键合与减薄工艺，将衬底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封装。该技术突破了高压器件与低压电路的集成瓶颈，推动MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向发展，在植入式医疗设备、工业控制传感器等领域具有广阔应用前景。
新材料或将成为国产MEMS发展的新机会。截止到目前，硅基MEMS发展已经有40多年的发展历程，如何提高产品性能、降低成本是全球企业都在思考的问题，而基于新材料的MEMS器件则成为摆在眼前的大奶酪，PZT、氮化铝、氧化钒、锗等新材料MEMS器件的研究正在进行中，抢先一步投入应用，将是国产MEMS弯道超车的好时机。另外，将多种单一功能传感器组合成多功能合一的传感器模组，再进行集成一体化，也是MEMS产业新机会。提高自主创新意识，加强创新能力，也不是那么的遥远。深反应离子刻蚀是 MEMS 微纳米加工中常用的刻蚀工艺，可用于制造高深宽比的微结构。
MEMS超表面对特性的调控：
1.超表面meta-surface对偏振的调控：在偏振方面，超表面可实现偏振转换、旋光、矢量光束产生等功能。
2.超表面meta-surface对振幅的调控。超表面可以实现光的非对称透过、消反射、增透射、磁镜、类EIT效应等。
3.超表面meta-surface对频率的调控。超表面的微结构在共振情况下可实现较强的局域场增强，利用这些局域场增大效应，可以实现非线性信号或荧光信号的增强。在可见光波段，不同频率的光对应不同的颜色，超表面的频率选择特性可以用于实现结构色。
我们在自然界中看到的颜色从产生原理上可以分为两大类，一类是由材料的反射、吸收、散射等特性决定的颜色，比如常见的颜料、塑料袋的颜色等；另一类是由物质的结构，而不是其所用材料来决定的颜色，即所谓的结构色，比如蝴蝶的颜色、某些鱼类的颜色等。人们利用超表面，可以通过改变其结构单元的尺寸、形状等几何参数来实现对超表面的颜色的自由调控，可用于高像素成像、可视化生物传感Bio-sensor等领域。 MEMS的超材料介绍与讲解。高科技MEMS微纳米加工之声表面波器件加工
超透镜的电子束直写和刻蚀工艺其实并不复杂。中国澳门MEMS微纳米加工扣件
微纳结构的多图拼接测量技术：针对大尺寸微纳结构的完整表征，公司开发了多图拼接测量技术，结合SEM与图像算法实现亚微米级精度的全景成像。首先通过自动平移台对样品进行网格扫描，获取多幅局部SEM图像（分辨率5nm，视野范围10-100μm）；然后利用特征点匹配算法（如SIFT/SURF）进行图像配准，误差＜±2nm/100μm；通过融合算法生成完整的拼接图像，可覆盖10mm×10mm区域。该技术应用于微流控芯片的流道检测时，可快速识别全长10cm流道内的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），检测效率较单图测量提升10倍。在纳米压印模具检测中，多图拼接可精确分析100μm×100μm范围内的结构一致性，特征尺寸偏差＜±1%。公司自主开发的拼接软件支持实时预览与缺陷标记，输出包含尺寸标注、粗糙度分析的检测报告，为微纳加工的质量控制提供了高效工具，尤其适用于复杂三维结构与大面积阵列的计量需求。中国澳门MEMS微纳米加工扣件
