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智浦芯联创建于苏州市工业园区内，企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计，总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心，宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力，南京、成都均设有研发中心，并与东南大学ASIC中心成为协作单位，在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品，特别在高低压集成半导体技术方面，研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。锂电池保护系列XySemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池。3wAy1

芯纳科技xinnasemi专注于提供品质的锂电池保护IC以及二合一锂电保护IC，这些产品凭借其出色的性能，能够切实保障电池在各种应用场景下的安全性与稳定性。芯纳科技代理的XYSEMI/赛芯微涵盖了丰富多样的型号，诸如XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S等型号。这些型号齐全的产品，可适配于不同规格、不同需求的锂电池应用项目，为客户提供了而专业的锂电池保护解决方案。XB4302G电源管理IC上海芯龙高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台。

电源管理芯片有多种类型，以满足不同的应用需求。其中，线性稳压器是常见的一种，它通过调节电阻来稳定输出电压，具有结构简单、噪声低的优点，但效率相对较低。开关稳压器则通过快速开关晶体管来实现电压转换，效率高但设计复杂，包括降压型（Buck）、升压型（Boost）和升降压型（Buck-Boost）等。电池管理芯片用于监测和控制电池的充电、放电过程，以延长电池寿命和提高安全性。此外，还有电源监控芯片，用于实时监测电源的电压、电流和温度等参数，一旦出现异常及时发出警报。

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制，改善了瞬态响应特性，简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能，过压保护，LED亮度调整，内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。

XA9107 是一款 1.0uA 电源电流和快速响应低压差稳压器，专为需要低静态电流、低压差电压和高电源纹波抑制的应用而设计。保证提供300mA的输出电流，并支持预设输出电压版本范围包括1.1V、1.2V、1.3V、1.5V、1.7V、1.8V、1.9V、2.0V、2.3V、2.5V、2.6V、2.7电压、2.8V、2.9V、3.0V、3.3V、3.6V。XA9107 具有针对温度、负载和线路变化的精确 ±2% 输出调节能力，并且XA9107 还集成了许多功能。热关断和过流限制功能可保护器件免受热过载和电流过载的影响。基于其低静态电流消耗和低于 0.1uA（典型值）的关断模式电流，此外，高电源抑制比使该器件能够很好地适应电池操作系统中通常遇到的低输入电压。使用小型陶瓷电容器（典型值为 1.0uF），稳压器即可保持稳定。性价比高，成本优；支持在线烧录；无需外加升压芯片，可直接升压至18V。XBG4508A电源管理IC上海如韵

带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。3wAy1

DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时，自动关闭放电通路。3wAy1