微针器件的干湿法刻蚀与集成传感：基于MEMS干湿法混合刻蚀工艺，公司开发出多尺度微针器件。通过光刻胶模板与各向异性刻蚀，制备前列曲率半径<100nm、高度500微米的中空微针阵列，可无创穿透表皮提取组织间液。结合微注塑工艺，在微针内部集成直径10微米的流体通道，实现5分钟内采集3μL样本，用于连续血糖监测（误差±0.2mmol/L）。在透皮给药领域，载药微针采用可降解PLGA涂层，载药率超90%，释放动力学可控至24小时线性释放。同时，微针表面通过溅射工艺沉积金纳米层，集成阻抗传感模块，可实时检测炎症因子（如CRP），检测限低至0.1pg/mL。此类器件与微流控芯片联用，可在15分钟内完成“采样-分析-反馈”闭环，为慢性病管理提供便携式解决方案。自动化检测系统基于机器视觉，实现微流控芯片尺寸测量、缺陷识别与统计分析一体化。江西MEMS微纳米加工之SAW器件
MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测：
光电导取样光电导取样是基于光导天线(photoconductiveantenna,PCA)发射机理的逆过程发展起来的一种探测THz脉冲信号的探测技术。如要对THz脉冲信号进行探测，首先，需将一个未加偏置电压的PCA放置于太赫兹光路之中，以便于一个光学门控脉冲(探测脉冲)对其门控。其中，这个探测脉冲和泵浦脉冲有可调节的时间延迟关系，而这个关系可利用一个延迟线来加以实现，尔后，用一束探测脉冲打到光电导介质上，这时在介质中能够产生出电子-空穴对(自由载流子)，而此时同步到达的太赫兹脉冲则作为加在PCA上的偏置电场，以此来驱动那些载流子运动，从而在PCA中形成光电流。用一个与PCA相连的电流表来探测这个电流即可， 宁夏MEMS微纳米加工结构MEMS声表面波（即SAW）器件是什么？
微针器件与生物传感集成：公司采用干湿法混合刻蚀工艺制备的微针阵列，兼具纳米级前列锐度（曲率半径<100 nm）与微米级结构强度（抗弯刚度≥1 GPa），可穿透角质层无创提取组织间液或实现透皮给药。在药物递送领域，载药微针通过可降解高分子涂层（如PLGA）实现药物的缓释控制。例如，胰岛素微针贴片可在30分钟内完成药物释放，生物利用度较皮下注射提升40%。此外，微针表面可修饰金纳米颗粒或导电聚合物，集成阻抗/伏安传感模块，实时检测炎症因子（如IL-6）或病原体抗原，检测限低至1 pg/mL。在电化学检测场景中，微针阵列与微流控芯片联用，可同步完成样本提取、预处理与信号分析，将皮肤间质液检测的全程时间缩短至15分钟，为POCT设备的小型化奠定基础。
三维微纳结构的跨尺度加工技术：跨尺度加工技术实现了从纳米级到毫米级结构的一体化制造，满足复杂微流控系统对多尺度功能单元的需求。公司结合电子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）与机械加工（精度10μm），在单一基板上构建跨3个数量级的微结构。例如，在类***培养芯片中，纳米级表面纹理（粗糙度Ra＜50nm）促进细胞黏附，微米级流道（宽度50μm）控制营养物质输送，毫米级进样口（直径1mm）兼容外部管路。加工过程中，通过工艺分层设计，先进行纳米结构制备（如EBL定义细胞外基质蛋白图案），再通过紫外光刻形成中层流道，***机械加工完成宏观接口，各层结构对准误差＜±2μm。该技术突破了单一工艺的尺度限制，实现了功能的跨尺度集成，在芯片实验室（Lab-on-a-Chip）中具有重要应用。公司已成功制备包含10nm电极间隙、1μm流道与1mm阀门的复合芯片，用于单分子电信号检测，信号分辨率提升至10fA，为纳米生物技术与微流控工程的交叉融合提供了关键制造能力。MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测。
硅基金属电极加工工艺与生物相容性优化：在硅片、LN（铌酸锂）、LT（钽酸锂）、蓝宝石、石英等基板上加工金属电极，需兼顾电学性能与生物相容性。公司采用溅射沉积与剥离工艺，首先在基板表面沉积50-200nm的钛/金种子层，增强金属与基板的附着力；然后旋涂光刻胶并曝光显影，形成电极图案；再溅射1-5μm厚度的金/铂金属层，***通过**剥离得到完整电极结构。电极线条宽度可控制在10-500μm，边缘粗糙度＜5μm，接触电阻＜1Ω・cm²。针对植入式医疗器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂层处理，通过硅烷偶联剂共价键合，涂层厚度5-10nm，可将蛋白吸附量降低90%以上，炎症反应发生率下降60%。该技术应用于神经电极时，16通道电极阵列的信号噪声比＞20dB，可稳定记录单个神经元放电信号达3个月以上。在传感器领域，硅基金电极对葡萄糖的检测灵敏度达100μA・mM⁻¹・cm⁻²，线性范围0.01-10mM，适用于血糖监测芯片。公司支持多种金属材料（如钛、铂、铱）与基板的组合加工，满足不同应用场景对电极导电性、耐腐蚀性的需求。MEMS 微纳米加工的成本效益随着技术的成熟逐渐提高，为其大规模商业化应用奠定了基础。新型MEMS微纳米加工设计
MEMS微流控芯片是什么？江西MEMS微纳米加工之SAW器件
MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：
绝缘层上的硅蚀刻即SOI器件刻蚀：先进的微机电组件包含精细的可移动性零组件，例如应用于加速计、陀螺仪、偏斜透镜(tiltingmirrors).共振器(resonators)、阀门、泵、及涡轮叶片等组件的悬臂梁。这些许多的零组件，是以深硅蚀刻方法在晶圆的正面制造，接着藉由横方向的等向性底部蚀刻的方法从基材脱离，此方法正是典型的表面细微加工技术。而此技术有一项特点是以掩埋的一层材料氧化硅作为针对非等向性蚀刻的蚀刻终止层，达成以等向性蚀刻实现组件与基材间脱离的结构(如悬臂梁)。由于二氧化硅在硅蚀刻工艺中，具有高蚀刻选择比且在各种尺寸的绝缘层上硅晶材料可轻易生成的特性，通常被采用作为掩埋的蚀刻终止层材料。 江西MEMS微纳米加工之SAW器件
