MEMS超表面对特性的调控：
1.超表面meta-surface对偏振的调控：在偏振方面，超表面可实现偏振转换、旋光、矢量光束产生等功能。
2.超表面meta-surface对振幅的调控。超表面可以实现光的非对称透过、消反射、增透射、磁镜、类EIT效应等。
3.超表面meta-surface对频率的调控。超表面的微结构在共振情况下可实现较强的局域场增强，利用这些局域场增大效应，可以实现非线性信号或荧光信号的增强。在可见光波段，不同频率的光对应不同的颜色，超表面的频率选择特性可以用于实现结构色。
我们在自然界中看到的颜色从产生原理上可以分为两大类，一类是由材料的反射、吸收、散射等特性决定的颜色，比如常见的颜料、塑料袋的颜色等；另一类是由物质的结构，而不是其所用材料来决定的颜色，即所谓的结构色，比如蝴蝶的颜色、某些鱼类的颜色等。人们利用超表面，可以通过改变其结构单元的尺寸、形状等几何参数来实现对超表面的颜色的自由调控，可用于高像素成像、可视化生物传感Bio-sensor等领域。 超声芯片封装采用三维堆叠技术，缩小尺寸 40% 并提升信噪比至 73.5dB，优化成像质量。黑龙江MEMS微纳米加工结构
微流控芯片的自动化检测与统计分析：公司建立了基于机器视觉的微流控芯片自动化检测系统，实现尺寸测量、缺陷识别与性能统计的全流程智能化。检测设备配备6MPUSB3.0摄像头与远心光学镜头，配合步进电机平移台（精度±1μm），可对芯片流道、微孔、电极等结构进行扫描。通过自研算法自动识别特征区域，测量参数包括高度（分辨率0.1μm）、周长、面积、宽度、半径等，数据重复性误差＜±0.5%。缺陷检测模块采用深度学习模型，可识别＜5μm的毛刺、缺口、气泡等缺陷，准确率＞99%。检测系统实时生成统计报告，包含CPK、均值、标准差等质量参数，支持SPC过程控制。在PDMS芯片检测中，单芯片检测时间＜2分钟，效率较人工检测提升20倍，良品率统计精度达0.1%。该系统已集成至量产产线，实现从原材料入库到成品出厂的全链路质量追溯，为微流控芯片的标准化生产提供了可靠保障，尤其适用于高精度医疗检测芯片与工业控制芯片的质量管控。MEMSMEMS微纳米加工的生物传感器公司开发的神经电子芯片支持无线充电与通讯，可将电信号转化为脉冲用于神经调控替代。
高压SOI工艺在MEMS芯片中的应用创新：高压SOI（绝缘体上硅）工艺是制备高耐压、低功耗MEMS芯片的**技术，公司在0.18μm节点实现了发射与开关电路的集成创新。通过SOI衬底的埋氧层（厚度1μm）隔离高压器件与低压控制电路，耐压能力达200V以上，漏电流＜1nA，适用于神经电刺激、超声驱动等高压场景。在神经电子芯片中，高压SOI工艺实现了128通道**驱动，每通道输出脉冲宽度1-1000μs可调，幅度0-100V可控，脉冲边沿抖动＜5ns，确保精细的神经信号调制。与传统体硅工艺相比，SOI芯片的寄生电容降低40%，功耗节省30%，芯片面积缩小50%。公司优化了SOI晶圆的键合与减薄工艺，将衬底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封装。该技术突破了高压器件与低压电路的集成瓶颈，推动MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向发展，在植入式医疗设备、工业控制传感器等领域具有广阔应用前景。
神经电子芯片的MEMS微纳加工技术与临床应用：神经电子芯片作为植入式医疗设备的**组件，对微型化、生物相容性及功能集成度提出了极高要求。公司依托0.35/0.18μm高压工艺，成功开发多通道神经电刺激SoC芯片，可实现无线充电与通讯功能，将控制信号转化为精细电刺激脉冲，用于神经感知、调控及阻断。以128像素视网膜假体芯片为例，通过MEMS薄膜沉积技术在硅基基板上制备高密度电极阵列，单个电极尺寸*50μm×50μm，间距100μm，确保对视网膜神经细胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亚胺（PI）与氮化硅复合涂层，经120℃高温固化处理后，涂层厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附与炎症反应，植入体寿命可达5年以上。目前该芯片已批量交付，由母公司中科先见推进至临床前动物实验阶段，针对视网膜退行***变患者，可重建0.1-0.3的视力，为盲人复明提供了突破性解决方案。该技术突破了传统植入设备的体积限制，芯片整体厚度＜200μm，兼容微创植入手术，推动神经调控技术向精细化、长期化发展。MEMS制作工艺中，以PI为特色的柔性电子出现填补了不少空白。
主要由传感器、作动器（执行器）和微能源三大部分组成，但现在其主要都是传感器比较多。
特点：1.和半导体电路相同，使用刻蚀，光刻等微纳米MEMS制造工艺，不需要组装，调整；2.进一步的将机械可动部，电子线路，传感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方，可以在一般的机器人到不了的狭窄场所或条件恶劣的地方使用4.由于工作部件的质量小，高速动作可能；5.由于它的尺寸很小，热膨胀等的影响小；6.它产生的力和积蓄的能量很小，本质上比较安全。 PVD磁控溅射、PECVD气相沉积、IBE刻蚀、ICP-RIE深刻蚀是构成MEMS技术的必备工艺。浙江MEMS微纳米加工值多少钱
超声影像 SoC 芯片采用 0.18mm 高压 SOI 工艺，发射与开关复用设计节省面积并提升性能。黑龙江MEMS微纳米加工结构
超声影像芯片的全集成MEMS设计与性能突破：针对超声PZT换能器及CMUT/PMUT新型传感器的收发需求，公司开发了**SoC超声收发芯片，采用0.18mm高压SOI工艺实现发射与开关复用，大幅节省芯片面积的同时提升性能。在发射端，通过MEMS高压驱动电路设计，实现±100V峰值输出电压与1A持续输出电流，较TI同类产品提升30%，满足深部组织成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采样率可达100Msps，信噪比（SNR）达73.5dB，有效提升弱信号检测能力。芯片采用多层金属布线与硅通孔（TSV）技术，实现3D堆叠集成，封装尺寸较传统方案缩小40%。在二次谐波抑制方面，通过优化版图布局与寄生参数补偿，将5MHz信号的二次谐波降至-40dBc，优于行业基准-45dBc，***提升图像分辨率。目前TX芯片已完成流片，与掌上超声企业合作开发便携式超声设备，可实现腹部、心血管等部位的实时成像，探头尺寸*30mm×20mm，重量＜50g，推动超声诊断设备向小型化、智能化迈进，助力基层医疗场景普及。黑龙江MEMS微纳米加工结构
