韶关DS6036赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

    主要描述XBM4530系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。 高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片，具有功能全、集成度高，外部电路简单，调节方便。韶关DS6036赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

    降压型C+CA多口快充SOC  DS2730数据手册—降压型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。•过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。•过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADCADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。•过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTCNTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。•短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUSBUS输出短路时，自动关闭放电通路。 深圳XBM5770 赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保6串-7串 XBM5773 集成均衡/PWM、/NTC/Sense/SSOP24。

    快充充电管理SOC是一种高度集成的芯片，将多个功能模块集成在一个芯片上。面向小家电/电动工具，集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块。充电功率高：能达到100W充电功率。支持CC-CV切换：可根据充电过程的不同阶段自动切换充电模式。兼容多种主流快充协议：如、、AFC、、DCP等，能满足不同设备的快充需求。具备完备保护功能：提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等保护，确保充电过程的安全可靠。小家电/电动工具应用领域：电动牙刷充电：电动牙刷通常需要定期充电，且使用频率较高。，提高使用便利性。例如，用户在早上发现电动牙刷电量不足时，利用其快充功能，能在短时间内完成充电，不影响正常使用。手持吸尘器充电：手持吸尘器在使用后电量消耗较大，。该SOC可以为手持吸尘器设计快充方案，使其充电时间大幅缩短，提高清洁效率。电钻充电：在建筑装修或家居维修场景中，电钻使用频繁，电量消耗快。DS3056B能满足电钻的快充需求，减少充电等待时间，提高工作效率。电锯充电：电锯在木材加工等行业应用，其工作强度大，电量消耗迅速。

公司成立于2023年，总部设立在深圳，同时在成都设有研发中心。**研发团队来自国内外前列半导体公司，拥有多位海归大厂技术骨干，都拥有着10年以上的芯片开发经验，拥有强大的研发创新能力。创立之初便推出了多款移动电源SOC，帮助客户实现产品升级，受到客户的高度认可。移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充，集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能，支持1-6节电池。30W-100W 2串-6串移动电源。

XBM3214  用于2串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，采用SOT23 - 6封装 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点2串 内置均衡MOS,带船运/SenseXBM325X.南京3e1EAB赛芯代理

可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。韶关DS6036赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。韶关DS6036赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保