制备去离子水

TOC 含量对热源物质的影响 正向影响：当水中 TOC 含量较高时，微生物更容易生长繁殖。随着微生物数量的增加，细菌死亡后释放的内素（热源物质）也会增多。例如，在一个没有良好维护的供水系统中，如果水中含有较多的有机污染物，TOC 含量上升，微生物会在管道壁或水体中大量繁殖，从而使水中的热源物质含量增加。 反向影响（间接）：如果能够有效控制 TOC 含量，减少水中有机碳化合物，就能抑制微生物的生长。例如，通过活性炭吸附、反渗透等方法降低 TOC，使微生物缺乏营养源，生长受到限制，进而减少细菌内素（热源物质）的产生。从这个角度看，降低 TOC 含量是控制水中热源物质的一种间接但有效的手段。 检测和控制方面的关联 在水质检测中，TOC 检测和热源物质检测是相互补充的。TOC 检测能够快速、定量地评估水中有机物质的总体情况，而热源物质检测（如鲎试剂检测法）则是专门针对内素这一关键热源物质的检测。在水质控制策略中，同时控制 TOC 和热源物质是保证水质的重要措施。例如，在制药行业的纯化水和注射用水制备过程中，既要通过严格的水处理工艺降低 TOC，又要采用有效的消毒或过滤方法去除热源物质。在电池电解液配制中，去离子水可减少杂质对电池性能影响。制备去离子水

质谱仪使用纯水标准，《实验室纯水系统及水质标准》：详细介绍了实验室纯水的不同等级及其对应的水质标准，包括电阻率、总有机碳、颗粒物质、微生物等指标，以及这些指标对质谱仪等精密仪器分析的影响，通过对不同制备方法得到的纯水质量进行评估，为实验室选择合适的纯水系统提供了参考依据。 《电感耦合等离子体质谱仪分析中的纯水质量控制》：着重探讨了电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）分析过程中纯水质量的重要性，阐述了 ICP-MS 对纯水电阻率、离子浓度、TOC 等指标的严格要求，以及如何通过有效的质量控制措施确保纯水质量，从而提高 ICP-MS 分析结果的准确性和可靠性。新型去离子水厂家直销其在储存过程中需避免与空气、灰尘等接触导致离子污染。

紫外线氧化 - 非色散红外吸收法 仪器与试剂准备 同样需要总有机碳分析仪，但氧化方式为紫外线氧化。仪器需要配备很度紫外线灯，波长一般在 185 - 254nm 之间。准备用于校准的标准溶液，校准方法与燃烧氧化法类似。同时，要检查仪器的紫外线灯强度是否符合要求，因为紫外线强度会直接影响有机碳的氧化效率。 样品处理与操作 水样采集和预处理步骤与燃烧氧化法基本相同。将处理后的水样注入仪器的反应室，在紫外线照射下，水中的有机碳被氧化为二氧化碳。然后通过非色散红外吸收检测器检测二氧化碳的量，进而计算 TOC 含量。这种方法相对温和，对于一些对温度敏感的水样或者含有易挥发有机物质的水样比较适用，因为它避免了高温燃烧过程可能导致的有机物质挥发损失。

鲎试剂复溶 用无热原的水按照鲎试剂说明书规定的体积准确复溶鲎试剂。一般是将鲎试剂小瓶轻轻振摇，使内容物充分溶解，复溶过程要小心操作，避免产生过多气泡，因为气泡可能会干扰后续的凝胶观察。 样品混合与孵育 取适量的纯化水样品（如 0.1 - 0.2mL）与复溶后的鲎试剂（如 0.1 - 0.2mL）混合在小试管中。使用移液器时要确保移液准确，并且将样品和试剂充分混匀，轻轻颠倒试管几次即可。 将混合后的试管放入预先设定为 37℃的恒温箱中进行孵育。孵育时间一般为 60 - 90 分钟，孵育过程中要保持恒温箱内温度稳定，避免频繁开门导致温度波动影响凝胶形成。去离子水在材料科学的陶瓷材料制备中，可提高陶瓷纯度。

试剂准备和样品混合 先复溶含显色底物的鲎试剂，然后将纯化水样品与复溶后的试剂混合，放入到酶标仪配套的微孔板或比色皿中。混合过程要充分，确保样品和试剂均匀分布。 仪器检测设置和反应 在酶标仪上设置好检测波长（一般为 405 - 410nm）、反应温度（37℃）和反应时间等参数。将装有样品和试剂混合物的微孔板或比色皿放入酶标仪中，启动反应。 结果计算 反应结束后，酶标仪会检测并记录每个样品的吸光度值。根据预先制作的标准曲线（使用已知内素浓度的标准品制作）和检测到的吸光度，计算出纯化水样品中内素的含量。在化妆品生产中，去离子水可增强活性成分的稳定性与功效。制备去离子水

离子交换树脂的老化会导致去离子水质量下降，需及时更换。制备去离子水

制药行业 在制药行业，对于注射用水和纯化水，TOC 含量要求极为严格。因为有机碳杂质可能会影响药品质量和安全性。例如，在注射剂的生产中，水中过高的 TOC 含量可能会与药物成分发生反应，或者作为微生物生长的营养源，引发药品污染。所以，制药行业通常要求注射用水的 TOC 含量不超过 500μg/L，纯化水的 TOC 含量不超过 5mg/L。这些严格的标准是为了确保药品的纯度和稳定性，符合药品生产质量管理规范（GMP）的要求。 电子工业（半导体制造等） 半导体制造过程对纯度要求极高，水是半导体制造过程中清洗和蚀刻等步骤的关键材料。即使微量的有机碳杂质也可能导致芯片缺陷。例如，在光刻过程中，水中的有机碳可能会吸附在硅片表面，影响光刻精度。因此，电子工业中使用的超纯水要求 TOC 含量一般低于 1 - 10μg/L，以满足高精度芯片制造的需要。制备去离子水