成组的磷酸铁锂电池串联充电时,应保证每节电池均衡充电,否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能,多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU;通过和保护芯片的串行通讯来实现,加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 磷酸铁锂电池还是需要保护板的,成组锂电池串联充电时,应保证每节电池均衡充电,否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。基于磷酸铁锂电池组均衡充电保护板的设计方案,常用的均衡充电技术包括恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。支持边充边放功能,在边充边放时,输入输出均为 5V。XLD6031P30电源管理IC赛芯微xysemi

DS2730是一款面向65-100W快充应用的电源管理SOC,集成了微处理器、双路降压变换器、快充协议控制器,支持PD3.0、QC3.0、QC2.0、SCP、FCP、AFC等主流快充协议。结合少量元件即可组成降压型C+CA双路单独的65-100W大功率多口快充解决方案。我们的产品优势:效率高;单芯片,多口;电感可选(双磁环)(双贴片)(单电感);带直通模式;可做小体积,省空间;性价比高,成本优。单电感方案体积小,可适用于空间较小的方案,通过MOS切换,两路都有快充,电压高的的一路直通。XB8089D0支持 2-6 串电芯,极限100W 充电功率,支持 CC-CV 切换。

智浦芯联创建于苏州市工业园区内,企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计,总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心,宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力,南京、成都均设有研发中心,并与东南大学ASIC中心成为协作单位,在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品,特别在高低压集成半导体技术方面,研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。
在锂电池保护领域,芯纳科技 xinnasemi 作为行业内的重要力量,携手赛芯代理,为众多应用提供高质量的锂电池保护 IC 和二合一锂电保护 IC。例如,在某消费电子品牌的新型智能手机中,芯纳科技的锂电池保护 IC 精细监测电池状态,有效防止过充、过放等异常情况,保障了电池的安全和稳定性,从而为用户带来更持久可靠的使用体验。
芯纳科技XINNASEMI 凭借其的技术实力,与上海如韵展开深度合作。在一款新兴的智能穿戴设备中,其提供的二合一锂电保护 IC 发挥了关键作用。通过对电池电压、电流的精确控制,成功避免了电池在复杂使用环境下的潜在风险,确保设备在长时间运行过程中电池始终处于安全稳定状态,使得该智能穿戴设备在市场上赢得了良好的口碑。 当涓流充电使得电池电压>涓流截止电压时,进入恒流充电。

DS6036B集成的KEY管脚内置上拉电阻,用于检测按键的输入,支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应,无效操作。按键持续时间长于100ms,但小于2s,即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s,即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键,会关闭升压输出、电量显示,进入休眠模式。DS6036B 自动检测手机插入,手机插入后即刻从待机状态唤醒,开启升压给手机充电,省去按键操作, 可支持无按键模具方案。在工业物联网场景中,通过智能化的电源管理 IC,可以实时监测工业设备的电源状态。XB4146电源管理IC磷酸铁锂充电管理
温度超出预设的保护门限时,降低放电功率。XLD6031P30电源管理IC赛芯微xysemi
2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPBXLD6031P30电源管理IC赛芯微xysemi
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...