无锡XBM5774 赛芯集成MOS 两节锂保

    深圳市点思半导体有限公司专注于智能电源技术，主要面向智能快充，储能和工业电源领域，提供高性能数模混合芯片产品。公司成立于2023年，总部设立在深圳，同时在成都设有研发中心。**研发团队来自国内外前列半导体公司，拥有多位海归大厂技术骨干，都拥有着10年以上的芯片开发经验，拥有强大的研发创新能力。创立之初便推出了多款移动电源SOC，帮助客户实现产品升级，受到客户的高度认可。移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充，集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能，支持1-6节电池，支持点思半导体秉承着为客户提供质量产品的理念，立志成为国内前列的数模混合芯片设计公司。从业20年的***市场总监带领团队分析市场需求和发展趋势,为公司产品研发指出方向。 移动电源SOC DS6036B+EPP无线充 30W 2串移动电源+无线充.无锡XBM5774 赛芯集成MOS 两节锂保

XBM5244 用于3-4串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16  概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况中山3T1FAA赛芯集成MOS 两节锂保适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好。

XBM3360   用于3串锂电池的保护芯片，3串 集成Sense   芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度， 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点

    快充充电管理SOC是一种高度集成的芯片，将多个功能模块集成在一个芯片上。面向小家电/电动工具，集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块。充电功率高：能达到100W充电功率。支持CC-CV切换：可根据充电过程的不同阶段自动切换充电模式。兼容多种主流快充协议：如、、AFC、、DCP等，能满足不同设备的快充需求。具备完备保护功能：提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等保护，确保充电过程的安全可靠。小家电/电动工具应用领域：电动牙刷充电：电动牙刷通常需要定期充电，且使用频率较高。，提高使用便利性。例如，用户在早上发现电动牙刷电量不足时，利用其快充功能，能在短时间内完成充电，不影响正常使用。手持吸尘器充电：手持吸尘器在使用后电量消耗较大，。该SOC可以为手持吸尘器设计快充方案，使其充电时间大幅缩短，提高清洁效率。电钻充电：在建筑装修或家居维修场景中，电钻使用频繁，电量消耗快。DS3056B能满足电钻的快充需求，减少充电等待时间，提高工作效率。电锯充电：电锯在木材加工等行业应用，其工作强度大，电量消耗迅速。 7串-10串 多节电池保护芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。

    多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。 高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。无锡6096J9c赛芯原厂

移动电源SOC DS6066 30W-100W 2串-6串DC应用移动电源.无锡XBM5774 赛芯集成MOS 两节锂保

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 无锡XBM5774 赛芯集成MOS 两节锂保