深圳多晶硅金场效应管制造商

导通电阻（R_DS(on)）：场效应管导通时的漏极与源极之间的电阻。它决定了电流通过器件时的压降和功耗，较小的导通电阻意味着较低的功耗和较高的电流驱动能力。较大漏极电流（I_D(max)）：场效应管能够承受的较大电流，超过这个电流值可能会导致器件过热、性能退化甚至长久损坏。较大漏极-源极电压（V_DS(max)）：场效应管能够承受的较大电压。超过这个电压值可能会导致场效应管的击穿、热损伤或其他形式的损坏。栅极电容（C_iss）：栅极与漏极之间的输入电容。它影响了信号的传输速度和开关过程中的电荷存储。场效应管在电子设备中普遍应用，如音频放大器、电源管理等。深圳多晶硅金场效应管制造商

SOA失效的预防措施：1：确保在较差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。2：将OCP功能一定要做精确细致。在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多，然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影响呢，我们看下面FLYBACK电流波形图（图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看）。电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。中山耗尽型场效应管参考价使用场效应管时，应注意其温度特性，避免在高温或低温环境下使用影响其性能。

沟道增强型MOSFET场效应管的工作原理：vGS对iD及沟道的控制作用① vGS=0 的情况，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。② vGS>0 的情况，若vGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。

场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是电子技术中普遍使用的一种半导体器件，具有高输入阻抗、噪声低和低功耗等优点。场效应管的用途：一、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。二、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。三、场效应管可以用作可变电阻。四、场效应管可以方便地用作恒流源。五、场效应管可以用作电子开关。总结场效应管在电子应用中非常普遍，了解基础知识之后我们接下来就可以运用它做一些电子开发了。场效应管可以用作放大器，可以放大输入信号的幅度。

SOA失效（电流失效）再简单说下第二点，SOA失效，SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。1：受限于较大额定电流及脉冲电流2：受限于较大节温下的RDSON。3：受限于器件较大的耗散功率。4：受限于较大单个脉冲电流。5：击穿电压BVDSS限制区。我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。这个是一个非典型的SOA导致失效的一个解刨图，由于去过铝，可能看起来不那么直接，参考下。在选择场效应管时，要考虑其成本效益，根据实际需求选择合适的性价比产品。深圳多晶硅金场效应管制造商

场效应管在电子器件中的功率管理、信号放大等方面有重要作用。深圳多晶硅金场效应管制造商

导电沟道的形成：当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。深圳多晶硅金场效应管制造商