普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件,即将一个PN结加一两条电极引线做成管芯,并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极,N型区的引出线称为负极或阴极,如图1所示。普通二极管有硅管或锗管两种,它们的正向导通电压(PN结电压)差别较大,锗管为0.2~0.3V,硅管为0.6~0.7V。点接触型二极管,点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触,然后在正方向通过很大的瞬时电流,使触丝和半导体牢固地熔接在一起,三价金属与锗结合构成PN结,并做出相应的电极引线,外加管壳密封而成。金属丝为正极,半导体薄片为负极。逆向击穿时应避免超过较大额定反向电压,以免损坏器件。江门面接触型二极管

在汞弧阀(具有冷阴极的汞蒸气离子阀)中,一种难熔的导电阳极与一池作为阴极的液态汞之间会形成电弧,电压单位可达数百千瓦,这对高压直流输电的发展起到了促进作用。一些小型的热离子整流器有时候也用汞蒸气填充,以减少他们的正向压降并增加这种热离子强真空器件的电流额定值。因此近年来,在音响发烧友和录音棚所用的音频设备中,应用真空二极管的老式音频设备有回潮的迹象,如家用音响系统甚至是吉他效果器。PIN二极管作为一种特种微波半导体元件,普遍应用于微波和射频电路的设计中,具有许多优良的特点,例如:开关速度快、可控功率大、损耗低、反向击穿电压高等。另外,PIN二极管无论被正向或者反向偏置均可得到类似于短路与开路。因而,PIN二极管已经成为各种电子设备中的重要组成部分。江门led发光二极管二极管的价格相对较低,使得二极管在电子制造中普遍应用。

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿,另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。
开关二极管,开关二极管是专门设计制造的一类二极管,用于在电路上“开”、“关”。与普通二极管相比,其由导通转变为截止或由截止变为导通的时间较短。半导体二极管的导通相当于一个闭合开关,截止时等效于开启(断开),因此二极管可用作开关,常用型号1N4148开关二极管。PN结导通由于半导体二极管具有单向传导的性质,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻非常小,大约是几十到几百欧;而在反向偏压下, PN结的电阻很大,一般硅二极管在10欧姆以上,而锗管也有几十千欧到几百千欧。通过这种特性,二极管可以在电路中对电流进行控制,从而成为一种理想的电子开关。开关二极管也有SMT和THT两种封装方式。二极管的工作状态受温度影响,应注意散热问题,确保其稳定性。

频率倍增用二极管,频率倍增用二极管英文名称为Frequency doubled diode,对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间TRR短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间明显的短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因TT(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。部分特殊用途的二极管,如肖特基二极管,具有低压降和快速恢复的特点。江门面接触型二极管
二极管的反向电压应小于其击穿电压,以防止击穿现象的发生。江门面接触型二极管
常见到的是发红光、绿光或黄光的发光二极管,翠绿色是人眼感觉较舒服的颜色,所以发翠绿光的发光二极管使用的较多,同时价格也就较便宜,比如手机上的按键灯颜色大多是翠绿色的。每种颜色的发光二极管内阻是不同的,这就造成了同样电压和电流情况下,发出的光线强度不同,比如电路中使用绿色的发光二极管,光线就很亮,但换成红色的发光二极管,发出的红光就很暗。因此,在使用发光二极管的时候,通常会串联一个电阻,通过电路分压来改变电流,从而调整发光的明暗度。江门面接触型二极管