高耐压线性充电管理与较少的外部元件数目使得XC3071 XC3101成为便携式应用的理想选择。 可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构,加上防倒充电路,所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定4.2V,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时, 将自动终止充电循环。当输入电压 (交流适配器或USB电源)被拿掉时, 自动进入一个低电流状态,将电池漏电流降至2uA 以下。也可将 置于停机模式,以而将供电电流降至45uA。 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。单路2~6 串升降压30~100W 移动电源SOC。XB6091I2S电源管理IC芯纳科技

型号:XA3106关键字:同步升降压IC同时升压降压功能升压转换器印字:HXN-AA功能概述:XA3106是一款高效、固定频率的降压-升压DC/DC转换器,能在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下操作。从而成为输出电压处于电池电压范围内的单节锂离子电池、多节碱性电池或NiMH电池应用的理想选择。可利用一个外部电阻对高至1.5MHz的开关频率进行设置,并能使振荡器与外部时钟同步。静态电流300uA,因而大限度的延长了便携式应用中的电池使用寿命。该转换器的其他特点还包括电流1uA的停机模式、软起动控制、热停机和电流限值。XA3106采用热特性增强型10引脚MSOP封装。应用数码相机/无线电话XB6706U0电源管理IC赛芯微代理线圈一体型micro DC/DC转换器。

特瑞仕是专门用于电源IC的模拟類比CMOS专业集团。 发挥只只有专业厂商才具有的专门知识和灵活性,不间断地瞬时对应开发小型化、轻量化电子机器的需求。独特的超小型封装技术接二连三地带来乃至肉眼难于分辨的小型产品是我们的骄傲。 尽管尺寸极小,但给予世间的影响却无限大。从我们身边的智能手机、数码照相机、电脑等便携式机器、到汽车用导航系统、车载ETC设备、电动车窗等车载用品,及包括机器人在内的产业机械,其产品性能在所有领域都得到了高度评价。 特瑞仕拥有雄厚先进的技术能力,高度的市场影响力,并积极地对应环保要求,今后还将继续于电源IC领域。
随着技术的不断进步,电源管理芯片呈现出一些明显的发展趋势。首先是集成度越来越高,将更多的功能集成在单个芯片上,减小系统尺寸和成本。其次是朝着更高效率和更低功耗的方向发展,以满足绿色能源和节能的需求。再者,智能化程度不断提高,能够自适应地调整电源参数,适应不同的工作负载和环境条件。另外,对于高频和高功率密度的追求也在持续,以满足日益增长的性能要求。同时,在新材料和新工艺的推动下,电源管理芯片的性能和可靠性将不断提升。DS6066专门针对空调服,发热服,电热坐垫,电热手套,电热毯,电热腰带等市场应用的智能SOC!

DS5136B 是一款单串 22.5W 到 27W 双向快充移动电源 SOC,集成了同步开关升压变换器、支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充,支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充,支持 CC-CV 切换,支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议,支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、 电池充放电管理、电池电量计,I2C 通信等功能模块。XB6091I2S电源管理IC芯纳科技
磷酸铁锂电池保护芯片。XB6091I2S电源管理IC芯纳科技
型号:XA2320B关键字:无电感升压2节AA电池升压为3.3V白光LED驱动器印字:N1IF功能概述:该XA2320B是一款低噪声,恒定频率(1.2MHz的)开关电容电压倍增器。它产生一个稳定的输出电压从一个1.8V至5V的输入高达150mA的输出电流。低外部元件数(一个飞电容器和两个小型旁路在VIN和VOUT)电容使XA2320B非常适合小电池供电的应用。一种新的电荷泵架构保持恒定开关频率至零负荷,降低了输出和输入纹波。该并且可以从生存连续短路VOUT到GND。内置软启动电路防止在浪涌电流过大启动。高开关频率允许使用小型的陶瓷电容器。低电流关机功能断开负载从VIN和静态电流降低到<1uA的。该XA2320B可在6引脚SOT23-6应用2节AA电池为3.3V的USBOn-The-Go的设备白光LED驱动器手持设备XB6091I2S电源管理IC芯纳科技
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...