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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

    铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器,有机发光二极管变异体,以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流,并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样,了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言,就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法,对有机发光二极管而言,则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候,诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是,使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性,同样使这些薄膜层难以测量和建模,从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法,利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合,从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定,剩余显示层分析的关键就解决了。 应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响),平整度。薄膜测厚仪膜厚仪技术服务

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参考材料备用BK7和二氧化硅参考材料。BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-BK71½"x1½"BK7反射基准。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英,用于双界面基准。REF-Si-22"单晶硅晶圆REF-Si-44"单晶硅晶圆REF-Si-66"单晶硅晶圆REF-Si-88"单晶硅晶圆REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片ITO膜厚仪推荐型号可见光可测试的深度,良好的厚样以及多层样品的局部应力。

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测量眼科设备涂层厚度光谱反射率可用于测量眼镜片减反射(AR)光谱和残余颜色,以及硬涂层和疏水层的厚度。测量范例:F10-AR系统配备HC升级选择通过反射率信息进行硬涂层厚度测量。这款仪器仪器采用接触探头,从而降低背面反射影响,并可测凹凸表面。接触探头安置在镜头表面。FILMeasure软件自动分析采集的光谱信息以确定镜头是否满足指定的反射规格。可测平均反射率,指定点蕞小蕞大反射率,以抵消硬涂层的存在。如果这个镜头符合要求,系统操作人员将得到清晰的“很好”指示。

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍:VITE是傅里叶频域技术,利用近红外光源的相位剪切技术(Phasesheartechnology)设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...当测量斑点只有1微米(µm)时,需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。

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不管您参与对显示器的基础研究还是制造,Thetametrisis都能够提供您所需要的...测量液晶层-聚酰亚胺、硬涂层、液晶、间隙测量有机发光二极管层-发光、电注入、缓冲垫、封装对于空白样品,我们建议使用FR-Scanner系列仪器。对于图案片,Thetametrisis的FR-Scanner用于测量薄膜厚度已经找到了显示器应用广范使用。测量范例此案例中,我们成功地测量了蓝宝石和硼硅玻璃基底上铟锡氧化物薄膜厚度,可以很容易地在380纳米到1700纳米内同时测量透射率和反射率以确定厚度,折射率,消光系数。由于ITO薄膜在各种基底上不同寻常的的扩散,这个扩展的波长范围是很有必要的。膜厚仪广泛应用于材料科学、光学、电子、化工等领域,用于质量控制、研发和生产过程中的膜厚测量。薄膜测厚仪膜厚仪技术服务

F30 系列是监控薄膜沉积,蕞强有力的工具。薄膜测厚仪膜厚仪技术服务

FSM413SPANDFSM413C2C红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...FSM413SP半自动机台人工取放芯片Wafer厚度3D图形FSM413C2CFullyautomatic全自动机台人工取放芯片可适配Cassette、SMIFPOD、FOUP.薄膜测厚仪膜厚仪技术服务

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