生产氧化石墨导电

氧化石墨烯（GO）在很宽的光谱范围内具有光致发光性质，同时也是高效的荧光淬灭剂。氧化石墨烯（GO）具有特殊的光学性质和多样化的可修饰性，为石墨烯在光学、光电子学领域的应用提供了一个功能可调控的强大平台[6]，其在光电领域的应用日趋***。氧化石墨烯（GO）和还原氧化石墨烯（RGO）应用于光电传感，主要是作为电子给体或者电子受体材料。作为电子给体材料时，利用的是其在光的吸收、转换、发射等光学方面的特殊性质，作为电子受体材料时，利用的是其优异的载流子迁移率等电学性质。本书前面的内容中对氧化石墨烯（GO）、还原氧化石墨烯（RGO）的电学性质已经有了比较详细的论述，本章在介绍其在光电领域的应用之前，首先对相关的光学性质部分进行介绍。松散的氧化石墨分散在碱性溶液中形成类似石墨烯结构的单原子厚度的片段。生产氧化石墨导电

RGO制备简单、自身具有受还原程度调控的带隙，可以实现超宽谱（从可见至太赫兹波段）探测。氧化石墨烯的还原程度对探测性能有***影响，随着氧化石墨烯还原程度的提高，探测器的响应率可以提高若干倍以上。因此，在CVD石墨烯方案的基础上，研究者开始尝试使用还原氧化石墨烯制备类似结构的光电探测器。对于RGO-Si器件，带间光子跃迁以及界面处的表面电荷积累，是影响光响应的重要因素[72]。2014年，Cao等[73]将氧化石墨烯分散液滴涂在硅线阵列上，而后通过热处理对氧化石墨烯进行热还原，制得了硅纳米线阵列(SiNW)-RGO异质结的室温超宽谱光探测器。该探测器在室温下，***实现了从可见光(532nm)到太赫兹波(2.52THz，118.8mm)的超宽谱光探测。在所有波段中，探测器对10.6mm的长波红外具有比较高的光响应率可达9mA/W。官能化氧化石墨有哪些通过调控氧化石墨烯的结构，降低氧化程度，降低难分解的芳香族官能团。

目前医学界面临的一个棘手的难题是对大面积骨组织缺损的修复。其中，干细胞***可能是一种很有前途的解决方案，但是在干细胞的移植过程中，需要可促进和增强细胞成活、附着、迁移和分化并有着良好生物相容性的支架材料。研究已表明氧化石墨烯（GO）具有良好的生物相容性及较低的细胞毒性，可促进成纤维细胞、成骨细胞和间充质干细胞（mesenchymalstemcells，MSC）的增殖和分化[82]，同时GO还可以促进多种干细胞的附着和生长，增强其成骨分化的能力[83-84]。因此受到骨组织再生领域及相关领域研究人员的关注，成为组织工程研究中一种很有潜力的支架材料。GO不仅可以单独作为干细胞的载体材料，还可以加入到现有的支架材料中，GO不仅可以加强支架材料的生物活性，同时还可以改善支架材料的空隙结构和机械性能，包括抗压强度和抗曲强度。GO表面积及粗糙度较大，适合MSC的附着和增殖，从而可促进间充质干细胞的成骨分化，而这种作用程度与支架中加入GO的比例成正比。

氧化石墨烯（GO）与石墨烯的另一个区别是在吸收紫外/可见光后会发出荧光。通常可以在可见光波段观测到两个峰值，一个在蓝光段（400-500nm），另一个在红光段（600-700nm）。关于氧化石墨烯发射荧光的机理，学界仍有争论。此外，氧化石墨烯的荧光发射会随着还原的进行逐渐变化，在轻度化学还原过程中观察到GO光致发光光谱发生红移，这一发现与其他人观察到的发生蓝移的现象相矛盾。这从另一个方面说明了氧化石墨烯结构的复杂性和性质的多样性。静电作用的强弱与氧化石墨烯表面官能团产生的负电荷相关。

石墨烯是一种在光子和光电子领域十分有吸引力的材料，与别的材料相比有很多优点[1]。作为一种零带隙材料，石墨烯的光响应谱覆盖了从紫外到THz范围；同时，石墨烯在室温下就有着惊人的电子输运速度，这使得光子或者等离子体转换为电流或电压的速度极快；石墨烯的低耗散率以及可以把电磁场能量限定在一定区域内的性质，带来了很强的光与石墨烯相互作用。虽然还原氧化石墨烯（RGO）缺少本征石墨烯中观测到的电子输运效应以及其它一些凝聚态物质效应，但其易于规模化制备、性质可调等优异特性，使其在传感检测领域展现出极大的应用前景。氧化石墨烯（GO）是印刷电子、催化、储能、分离膜、生物医学和复合材料的理想材料。官能化氧化石墨有哪些

氧化石墨是一种碳、氧数量之比介于2.1到2.9之间黄色固体，并仍然保留石墨的层状结构，但结构更复杂。生产氧化石墨导电

氧化石墨烯同时具有荧光发射和荧光淬灭特性，广义而言，其自身已经可以作为一种传感材料，在生物、医学领域的应用充分说明了这一点。经过功能化的氧化石墨烯/还原氧化石墨烯在更加***的领域内得到了应用，特别在光探测、光学成像、新型光源、非线性器件等光电传感相关领域有着丰富的应用。光电探测器是石墨烯问世后**早应用的领域之一。2009年,Xia等利用机械剥离的石墨烯制备出了***个石墨烯光电探测器（MGPD）[2]，如图9.6，以1-3层石墨烯作为有源层，Ti/Pd/Au作源漏电极，Si作为背栅极并在其上沉淀300nm厚的SiO2，在电极和石墨烯的接触面上因为功函数的不同，能带会发生弯曲并产生内建电场。生产氧化石墨导电