江门点接触型二极管检查方法

1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的头一代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。早期的二极管还包含了真空管，真空管二极管具有两个电极 ，一个阳极和一个热式阴极。在半导体性能被发现后，二极管成为了世界上头一种半导体器件。现如今的二极管大多是使用硅来生产，锗等其它半导体材料有时也会用到。目前较常见的结构是，一个半导体性能的结芯片通过PN结连接到两个电终端。二极管是一种电子器件，具有单向导电性，可用于整流、开关和信号调节等应用。江门点接触型二极管检查方法

变容二极管： 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被普遍地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS： 一种固态二极管，专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。发光二极管LED： 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。江门点接触型二极管检查方法齐纳二极管是一种高频器件，具有低阻抗、低电压下的快速响应。

二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压，否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二极管，3表示三极管。普通二极管（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

二极管串联的情况。显然在理想条件下,有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电压的几分之一。但因为每只二极管的反向电阻不尽相同,会造成电压分配不均:内阻大的二极管,有可能由于电压过高而被击穿,并由此引起连锁反应,逐个把二极管击穿。在二极管上并联的电阻R,可以使电压分配均匀。均压电阻要取阻值比二极管反向电阻值小的电阻器,各个电阻器的阻值要相等。ESD二极管和TVS二极管都是电路保护器件，工作原理是一样的，但功率和封装是不一样的，ESD二极管主要是用来防静电，防静电就要求电容值低，一般是1-3.5PF之间为较好；而TVS二极管就做不到这一点，TVS二极管的电容值比较高。静电放电二极管常用的是3个引脚的，ESD二极管的正负接在电源引脚，公共端接在被保护引脚上起到释放静电的作用。在设计电路时，应充分考虑二极管的温度特性和工作条件，以确保其正常工作。

对单颗LED 的驱动，此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出高电平时，LED 两端等电位，无电流，LED 熄灭；当I/O 口输出低电平时，电流从电源经R1、LED1、I/O 口流进单片机，LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比，而电流大小由R1 阻值决定。此驱动方式可称为灌电流驱动。此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出低电平时，LED 两端等电位，无电流，LED 熄灭；当I/O 口输出高电平时，电流从单片机I/O 经R2、LED2 流到地，LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比，而电流大小由R2 阻值决定。此驱动方式可称为拉电流驱动。反向偏置时，PN结的耗尽区增大，导致电流截止。宁波led发光二极管

二极管的开和截止状态可以用电压-电流特性曲线表示。江门点接触型二极管检查方法

二极管的反向特性：当外加反向电压时，所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡，所以二极管中几乎没有电流通过。但是这时的外电场能促使少数载流子漂移，所以少数载流子形成很小的反向电流。由于少数载流子数量有限，只要加不大的反向电压就可以使全部少数载流子越过PN结而形成反向饱和电流，继续升高反向电压时反向电流几乎不再增大。当反向电压增大到某一值（曲线中的D点）以后，反向电流会突然增大，这种现象叫反向击穿，这时二极管失去单向导电性。所以一般二极管在电路中工作时，其反向电压任何时候都必须小于其反向击穿时的电压。即：当V＜0时，二极管处于反向特性区域。江门点接触型二极管检查方法