按工作原理分类:线性稳压器:线性稳压器是一种通过调整电源输入和输出之间的电压差来实现稳定输出电压的IC。它具有简单、稳定的特点,但效率较低。开关稳压器:开关稳压器是一种通过开关元件(如MOSFET)来控制电源输入和输出之间的电压和电流的IC。它具有高效率和较小的尺寸,但设计和调试较为复杂。电源管理IC在现代电子设备中起着至关重要的作用,它们可以提供稳定的电源供应,实现电源的开关、调节和保护等功能。随着电子设备的不断发展和进步,电源管理IC也在不断创新和改进,以满足不同应用领域的需求。集成 i2C 功能,外部芯片可直接读取当前芯片的工作状态。XB6096JS

2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPB低功耗锂保实际应用中,NTC 热敏电阻通常置于 PCB 上发热元件附近。

解决方案概要 标称电压2.2~2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点,也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。(无需的高价CV/CC充电IC) 耐过放电,可用于简单的放电检测 因为是电池,所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap,能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载,所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后,电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后,会逐渐充电。 无需满充电检测,在满充电后,一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时,为了不白白消耗储存在二次电池中的能量,需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中,在用SBD防止回流的同时,通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻,成为LDO的CE=“L”,稳压器将处于待机状态。 由此,可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。(称为“VOUT SINK电流”)
Xysemi设计团队成员都有多年美国模拟电路设计公司的工作经验,曾设计出多款电源管理类产品。 “电池保护系列产品”是Xysemi的产品系列,产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池.该系列产品在性能参数,方案面积上与传统方案相比具有颠覆性的优势,本公司在“电池保护系列”产品上拥有大量的国内和国际专利。 Xysemi现有的主导产品系列包括“电池保护系列产品”,“SOC系列产品”,DC-DC 降压系列,DC-DC 升压系列 以及屏背光系列等.VBUS 输出短路时,自动关闭放电通路。

复合锂电池保护IC 二合一 产品型号:复合锂电池保护IC 复合锂电池保护IC 二合一 目前锂电池的应用,从手机、MP3、MP4、GPS、玩具等便携式设备到需要持续保存数据的煤气表,其市场容量已经达到每月几亿只。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命,通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。锂电池保护装置的电路原理如图1所示,主要是由电池保护控制IC和外接放电开关M1以及充电开关M2来实现。当P+/P-端连接充电器,给电池正常充电时,M1、M2均处于导通状态;当控制IC检测到充电异常时,将M2关断终止充电。当P+/P-端连接负载,电池正常放电时,M1、M2均导通;当控制IC检测到放电异常时,将M1关断终止放电。电流采样,连接 USB-C口采样电阻的正端。XB6096JS
正极保护IC、的锂电池保护方案。XB6096JS
XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS、XB6097IS、XB6156G、XB6166IS、XB6166ISA、XB6206AE、XB6366D、XB6706A、XB6706AHY、XB6706H2、XB6706U0、XB7608A、、XB7608AF、XB7608AJ、XB7608AJL、XB7608AR、XB7608G、XB7608GF、XB7608GJ、XB7608MF、XB6096JS
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...