XB5556A0电源管理IC赛芯微代理

芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。提供的产品和方案包括：移动电源SOC、多口快充SOC、快充充电管理SOC、充电线SOC、电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等；广泛应用消费电子：移动电源、储能、适配器、电动工具、TWS耳机、无线充、小家电、智能穿戴等产品、以及工业类电源方案。移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充，集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能，支持1-6节电池，支持22.5-140W功率选择，支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/BC1.2 DCP/及APPLE 2.4A等主流快充协议。DS5136B-1S-22.5W串移动电源方案优势：效率高，温度底；可实现双C输入输出；XB5556A0电源管理IC赛芯微代理

DS5036B集成涓流、恒流、恒压锂电池充电管理系统，当电池电压小于VTRKL时，采用涓流电流充电；当电池电压大于VTRKL时，进入输入恒流充电；当电池电压接近设定的电池电压时，进入恒压充电；当电池端充电电流小于停充电流ISTOP且电池电压接近恒压电压时，停止充电。充电完成后，若电池电压低于(VTRGT–0.1)V，重新开启电池充电。DS5036B采用开关充电技术，充电效率高达到96%，能缩短3/4的充电时间。DS5036B支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为5V。XB3301AJ电源管理ICNTC充电管理变更连接在 CNSEL 管脚的下拉电阻的阻值，可以配置应用方案为 2-6串电池的充电管理。

解决方案概要 标称电压2.2～2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点，也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。（无需的高价CV/CC充电IC） 耐过放电，可用于简单的放电检测 因为是电池，所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap，能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载，所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后，电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后，会逐渐充电。 无需满充电检测，在满充电后，一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时，为了不白白消耗储存在二次电池中的能量，需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中，在用SBD防止回流的同时，通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻，成为LDO的CE=“L”，稳压器将处于待机状态。 由此，可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。（称为“VOUT SINK电流”）

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。30V耐压带OVP高耐压线性充电管理。

锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护） 辅助信息：电池容量，产品应用 。 电池安全，首先要有保护，再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护，如：过充保护时，一级保护是充电管理，过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时，要考虑到锂电保护是二次保护的特性，锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值（不能有重合区间），锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护）电池电压低于复充门限值，则重新开启电池充电。XB4128A电源管理IC拓微电子

放电过程中，实时检测 VBUS 的电压和放电电流。XB5556A0电源管理IC赛芯微代理

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB5556A0电源管理IC赛芯微代理