CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器,用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V,驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET),LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元,误差放大器,330KHz振荡器,斜坡补偿发生器,电流模式PWM控制单元,电感过流保护电路,LED亮度调整单元,芯片关断单元,软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制,改善了瞬态响应特性,简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能,过压保护,LED亮度调整,内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。放电过程中,实时检测 VBUS 的电压和放电电流。XC3106A电源管理IC上海芯龙

DS5036B-1S-22.5W方案:单串22.5-27W双向移动电源。DS5036B是点思针对单节移动电源市场推出的一颗移动电源SOC。DS5036B-1S-22.5W方案:单串电池,支持22.5-27W功率选择,支持CCAA、CC线L线A、CLinAA等输出方式,单击按键开机并显示电量,双击按键关机进入休眠,长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换,支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/VOOC/BC1.2DCP、APPLE2.4A等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。XB4146电源管理IC磷酸铁锂充电管理VBUS 输出短路时,自动关闭放电通路。

电源管理芯片的工作原理:以开关稳压器中的降压型(Buck)芯片为例,其工作原理基于电感和电容的储能特性。当开关管导通时,输入电源给电感充电,电流逐渐上升,同时向电容和负载供电。当开关管关断时,电感中的电流通过二极管续流,继续向负载供电,同时电容维持输出电压的稳定。通过控制开关管的导通时间和关断时间的比例(即占空比),可以调节输出电压的大小。这种方式能够实现高效率的电压转换,尤其在处理大电流和高功率的应用中表现出色。
DS2730是一款面向65-100W快充应用的电源管理SOC,集成了微处理器、双路降压变换器、快充协议控制器,支持PD3.0、QC3.0、QC2.0、SCP、FCP、AFC等主流快充协议。结合少量元件即可组成降压型C+CA双路单独的65-100W大功率多口快充解决方案。我们的产品优势:效率高;单芯片,多口;电感可选(双磁环)(双贴片)(单电感);带直通模式;可做小体积,省空间;性价比高,成本优。单电感方案体积小,可适用于空间较小的方案,通过MOS切换,两路都有快充,电压高的的一路直通。半桥电路功率管下管驱动。

可用太阳能电池供电的锂电池充电管理芯片CN3063 CN3063是可以用太阳能电池供电的单节锂电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管,应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的8位模拟-数字转换电路,能够根据输入电压源的电流输出能力自动调整充电电流,用户不需要考虑坏情况,可大限度地利用输入电压源的电流输出能力,非常适合利用太阳能电池等电流输出能力有限的电压源供电的锂电池充电应用。CN3063只需要极少的元器件,并且符合USB 总线技术规范,非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.2V,也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时,CN3063自动进入低功耗的睡眠模式,此时电池的电流消耗小3微安。其它功能包括输入电压过低锁存,自动再充电,电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别。XC3106A电源管理IC上海芯龙
高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片,具有功能全、集成度高,外部电路简单,调节方便。XC3106A电源管理IC上海芯龙
XS5301 XS5306 XS550是一款集成降压变化器,锂电池充电管理,电池电量指示的多功能电源管理SOC,为USB充干电池提供完整的电源解决方案。 XS5301 XS5306 XS5502充电电流和充电电压可调,支持多种规格锂电池应用,充电电流1A.ZCC5600充电电压和电流根据锂电池温度自动调节,更加安全可靠。放电输出1.5V固定电压,高效率高达93%.待机电流低至3uA以内,支持锂电池长时间待机。·充电电流和充电电压外部电阻调节 支持4.2/4.3/4.35/4.4V锂电池充电充电电流400mA-1000mA可调XC3106A电源管理IC上海芯龙
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...