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纳米压印基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620 NT,EVG6200 NT,EVG720,EVG7200,EVG7200
  • 是否定制
纳米压印企业商机

SmartNIL是一项关键的启用技术,可用于显示器,生物技术和光子应用中的许多新创新。例如,SmartNIL提供了无人能比的全区域共形压印,以便满足面板基板上线栅偏振器的ZUI重要标准。SmartNIL还非常适合对具有复杂纳米结构的微流控芯片进行高精度图案化,以支持下一代药物研究和医学诊断设备的生产。此外,SmartNIL的ZUI新发展为制造具有ZUI高功能,ZUI小外形尺寸和大体积创新型光子结构提供了更多的自由度,这对于实现衍射光学元件(DOE)至关重要。特征:体积验证的压印技术,具有出色的复制保真度专有SmartNIL®技术,多使用聚合物印模技术经过生产验证的分辨率低至40nm或更小大面积全场压印总拥有成本ZUI低在地形上留下印记对准能力室温过程开放式材料平台EVG®770可用于连续重复的纳米压印光刻技术,可进行有效的母版制作。江苏纳米压印微流控应用

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纳米压印光刻(NIL)技术EVG是纳米压印光刻(NIL)设备和集成工艺的市场lingxian供应商。EVG从19年前的研究方法中率先掌握了NIL,并实现了从2英寸化合物半导体晶圆到300mm晶圆甚至大面积面板的各种尺寸基板的批量生产。NIL是产生纳米尺度分辨率图案的ZUI有前途且ZUI具成本效益的工艺,可用于生物MEMS,微流体,电子学以及ZUI近各种衍射光学元件的各种商业应用。其中EVG紫外光纳米压印系统型号包含:EVG®610EVG®620NTEVG®6200NTEVG®720EVG®7200EVG®7200LAHERCULES®NILEVG®770IQAligner®热压纳米压抑系统型号包含:EVG®510HEEVG®520HE详细的参数,请联系我们岱美有限公司。中国香港纳米压印试用EVG ® 770是分步重复纳米压印光刻系统,使用分步重复纳米压印光刻技术,可进行有效的母版制作。

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通过中心提供的试验生产线基础设施,WaveOptics将超越其客户对下个季度的预期需求,并有一条可靠的途径将大批量生产工艺和设备转移至能够大规模生产波导的指定设施适用于全球顶jiOEM品牌。WaveOptics与EVG的合作突显了其致力于以可实现的价格提供高性能,商用波导来帮助客户将AR显示器推向市场的承诺。利用EVG在批量生产设备和工艺技术方面的专业知识,到2019年,AR终端用户产品将以不到600美元的价格进入市场,这是当今行业中的较低价位。

HERCULES®NIL:完全集成的纳米压印光刻解决方案,可实现300mm的大批量生产■批量生产低至40nm的结构或更小尺寸(分辨率取决于过程和模板)■结合了预处理(清洁/涂布/烘烤/冷却)和SmartNIL®技术■全自动压印和受控的低力分离,可蕞大程度地重复使用工作印章■具备工作印章制造能力EVG®770:连续重复的纳米压印光刻技术,可进行有效的母版制作■用于晶圆级光学器件的微透镜的高效母模制造,直至SmartNIL®的纳米结构■不同类型的母版的简单实现■可变的光刻胶分配模式■分配,压印和脱模过程中的实时图像■用于压印和脱模的原位力控制EVG的纳米压印设备已使纳米图案能够在面板尺寸蕞大为第三代(550 mm x 650 mm)的基板上实现。

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NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的蕞具成本效益的方法,因为它不受光学光刻所需的复杂光学器件的限制,并且它可以为极小尺寸(小于100分)提供蕞佳图案保真度nm)结构。EVG的SmartNIL是基于紫外线曝光的全场压印技术,可提供功能强大的下一代光刻技术,几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能,因此还可以实现无人能比的吞吐量,并具有显着的拥有成本优势,同时保留了可扩展性和易于维护的操作。另外,主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。EVG®610和EVG®620NT /EVG®6200NT具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统。官方授权经销纳米压印技术服务

SmartNIL技术是基于紫外线曝光的全域型压印技术。江苏纳米压印微流控应用

据外媒报道,美国威斯康星大学麦迪逊分校(UWMadison)的研究人员们,已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大达简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的制造工艺,还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板,并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称,这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺,可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能,MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求,MOSFET尺寸也在不断变小,然而这也引发了一些问题。江苏纳米压印微流控应用

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