FSM413MOT红外干涉测量设备：适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪器。不同的 F50 仪器是根据波长范围来加以区分的。四川高精密仪器膜厚仪
F60系列包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F60-t:20nm-70µm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40µm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250µm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250µm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250µm190-1700nmF60-t-XT0:2µm-450µm1440-1690nmF60-t-s980:4µm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7µm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10µm-3mm1520-1580nm额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划四川高精密仪器膜厚仪膜厚仪通过不同的测量原理来实现对膜厚的精确测量。
更可加装至三个探头，同时测量三个样品，具紫外线区或标准波长可供选择。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外，可提供*小5um光點(100倍放大倍數)來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作台，由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通过快速扫瞄功能，可取得整片样品厚度分布情况(mapping)。F70:瑾通过在F20基本平台上增加镜头，使用Filmetrics*新的颜色编码厚度测量法（CTM），把设备的测量范围极大的拓展至。F10-RT：在F20实现反射率跟穿透率的同时测量，特殊光源设计特别适用于透明基底样品的测量。PARTS：在垂直入射光源基础上增加70º光源，特别适用于超薄膜层厚度和n、k值测量。**膜厚测量仪系统F20使用F20**分光计系统可以简便快速的测量厚度和光学参数（n和k）。您可以在几秒钟内通过薄膜上下面的反射比的频谱分析得到厚度、折射率和消光系数。任何具备基本电脑技术的人都能在几分钟内将整个桌面系统组装起来。F20包括所有测量需要的部件：分光计、光源、光纤导线、镜头集和和Windows下运行的软件。您需要的只是接上您的电脑。膜层实例几乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能测。包括：sio2（二氧化硅）sinx（氮化硅）dlc（类金刚石碳）photoresist。
氚灯电脑要求60mb硬盘空间50mb空闲内存usb接口电源要求100-240vac,50-60hz,a选配以下镜头，就可在F20的基础上升级为新一代的F70膜厚测量仪。镜头配件厚度范围(Index=)精度光斑大小UPG-F70-SR-KIT15nm-50μmnm标配mm(可选配下至20μm)LA-CTM-VIS-1mm50μmmμm5μm150μmmμm10μm产品应用，在可测样品基底上有了极大的飞跃：●几乎所有材料表面上的镀膜都可以测量，即使是药片，木材或纸张等粗糙的非透明基底。●玻璃或塑料的板材、管道和容器。●光学镜头和眼科镜片。Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右。 可选的厚度和折射率模块让您能够充分利用 Filmetrics F10 的分析能力。
FSM膜厚仪简单介绍：FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100Hz的采样率可以在多个测量位置得到。衬底膜厚仪测样
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集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度四川高精密仪器膜厚仪
