CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器,用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V,驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET),LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元,误差放大器,330KHz振荡器,斜坡补偿发生器,电流模式PWM控制单元,电感过流保护电路,LED亮度调整单元,芯片关断单元,软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制,改善了瞬态响应特性,简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能,过压保护,LED亮度调整,内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。XySemi 锂电保护板生产操作注意事项。XS5302

DS5036B 是一款单串 22.5W 到 27W 双向快充移动电源 SOC,集成了同步开关升压变换器、支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充,支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充,支持 CC-CV 切换,支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议,支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。XB3303G电源管理IC拓微电子内置的同步降压变换器,允许 5V~30V 的输入和 3.3V~20V 的输出,输出效率极限 98%。

4054是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/ 恒压线性充电器。4054采用SOT23-5L/sot23-6封装,配合较 少的元器件使其非常适用于便携式产品,并且适 合给USB电源以及适配器电源供电。 基于特殊的内部MOSFET架构以及防倒充电路, 4054不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时,热反馈可以调节充 电电流以降低芯片温度。充电电压固定在4.2V/4.35V/4.4V,而充 电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值的1/10,芯片将终止充电循环。当输入电压断开时,4054进入睡眠状态,电池漏电流将降到1uA以下。4054还可以被设置于停机模式。4054还包括其他特性:欠压锁定,自动再充电和充电状态标志。
保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。点思DS5136边充边放:无线充放电、适配器给移动电源充电。

XA6206丝印:54IK65X254JAXD2854HH54FK5BGJ5BHJ5BFE5BJC65T25BJF5AGJ65K565E9APJA65Z5662K662259FH59JH59I659GC6206AAAB66S652S65165EG65T365X865X265ZD6621662G低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器,它与三端稳压器的不同点在于,低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制,芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet,取样电阻和分压电阻等硬件电路,并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。变更连接在 CNSEL 管脚的下拉电阻的阻值,可以配置应用方案为 2-6串电池的充电管理。XB5306A电源管理IC上海芯龙
单串升压型移动电源 SOC。XS5302
上面的“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势,但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端,因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中,还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势,所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价,这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501;近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商,为了降低成本,封装时原本打金线改成打铜线,开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异,但因为成本优势很快抢占了二级市场,也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。XS5302
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...