磷酸铁锂电池的使用,一些产品对电池容量的需求不断提升,就需要串联多个锂电池,从而导致电池的总电压升高,于是就催生出了锂电池充电管理芯片。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命,通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。 磷酸铁锂电池充电管理芯片介绍 磷酸铁锂电池特性较为活泼,对电压电流要求较高,所以需要锂电池管理芯片。磷酸铁锂电池管理芯片就是设计用于保护电池的电路,可以保护电池过放电,过压,过充,过温,可以有效保护锂电池寿命和使用者的安全。 锂电池的使用,一些产品对电池容量的需求不断提升,就需要串联多个锂电池,从而导致电池的总电压升高,于是就催生出了磷酸铁锂电池充电管理芯片,它会根据磷酸铁锂电池的特性自动进行预充、恒流充电、恒压充电。 磷酸铁锂电池充电管理芯片的类型。集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。XB7608AR电源管理IC赛芯微xysemi

DS5036B集成的KEY管脚内置上拉电阻,用于检测按键的输入,支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应,无效操作。按键持续时间长于100ms,但小于2s,即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s,即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键,会关闭升压输出、电量显示,进入休眠模式。DS5036B 自动检测手机插入,手机插入后即刻从待机状态唤醒,开启升压给手机充电,省去按键操作, 可支持无按键模具方案。XBGL6034QS电源管理IC磷酸铁锂充电管理锂电池电保护芯片小封装、低功耗、智能穿戴应用。

2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPB、3P1Ha
CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片,输入电压范围2.7V到6V,能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管,不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件,非常适合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。 恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置,恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路,可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时,CN3125自动进入低功耗的睡眠模式,此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。 其他功能包括芯片使能输入端,电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。 CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。

DS6036B自动检测手机插入,手机插入后即刻从待机状态唤醒,开启升压给手机充电,省去按键操作,可支持无按键模具方案。DS6036B通过内部ADC模块采样每个端口的输出电流,当单个口的输出电流小于约80mA(MOSRds_ON@15mΩ)且持续15s时,会将该输出口关闭。当输出总功率小于约350mW且持续为所有输出口手机已经充满或者拔出,会自动关闭升降压输出。DS6036B内置电量计功能,可准确实现电池电量计算。DS6036B支持3线5灯、支持188数码管显示电量,支持设置电池的初始化容量,利用电池端电流和时间的积分来管理电池的剩余容量。当电池端电流检测 CSP1 和 CSN1 引脚采用 5mΩ 检测电阻时,可以准确显示当前电池的容量。同时 DS6036B 支持电量从0%到 100%一次不间断的充电过程自动校准当前电池的总容量,更新显示百分比,更合理地管理电池的实际容量。30V耐压带OVP高耐压线性充电管理。XB4908I电源管理ICNTC充电管理
电感一体型DC/DC转换器。XB7608AR电源管理IC赛芯微xysemi
DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源,但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性,使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容,这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题,进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法,为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值,半导体工艺变得极为复杂,使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法,因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积,不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件,而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案,要么需要CSP(芯片尺寸级封装)型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程,使得制作工程复杂,带来了产生成本上升的课题。XB7608AR电源管理IC赛芯微xysemi
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...