高耐压线性充电管理与较少的外部元件数目使得XC3071 XC3101成为便携式应用的理想选择。 可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构,加上防倒充电路,所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定4.2V,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时, 将自动终止充电循环。当输入电压 (交流适配器或USB电源)被拿掉时, 自动进入一个低电流状态,将电池漏电流降至2uA 以下。也可将 置于停机模式,以而将供电电流降至45uA。 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。目前市场上主流应用于空调服和加热服,此类应用主要帮助户外工作者保持一个舒服的状态。XB8886G电源管理IC上海芯龙

CN3130是可以用太阳能板供电的可充电纽扣电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管,应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的充电电流自适应模块能够根据输入电源的电流输出能力自动调整充电电流,用户不需要考虑坏情况,利用输入电源的电流输出能力,非常适合利用太阳能板等电流输出能力有限的电源供电的应用。CN3130只需要极少的外置元器件,非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为3.3V,也可以通过一个外部的电阻向上调节,非常适合纽扣式锂锰电池,磷酸铁锂电池和锂电池的充电应用。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时,CN3130自动进入低功耗的睡眠模式,此时电池的电流消耗小于3微安。其它功能包括输入电压过低锁存,自动再充电以及充电状态指示等功能。CN3130采用6管脚SOT23封装(SOT23-6)。XB4092J2高精度 ADC 用于检测充电电流,高速 ADC 用于检测电压信号。

同步 异步 指的是芯片的整流方式!一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管,由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。
低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同,区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下,功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态,因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压,稳压器就能运作,稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高,因为输出级的阻抗较大,较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系,会耗用额外的电流,增加功耗,在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题,但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用,而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步,这两方面的问题都得以改善。锂电充电管理0.5-1A电流 +OVP过压保护+耐高压30V +BAT耐压18V。

Xysemi设计团队成员都有多年美国模拟电路设计公司的工作经验,曾设计出多款电源管理类产品。 “电池保护系列产品”是Xysemi的产品系列,产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池.该系列产品在性能参数,方案面积上与传统方案相比具有颠覆性的优势,本公司在“电池保护系列”产品上拥有大量的国内和国际专利。 Xysemi现有的主导产品系列包括“电池保护系列产品”,“SOC系列产品”,DC-DC 降压系列,DC-DC 升压系列 以及屏背光系列等.S5036B 是一款单串 22.5W 到 27W 双向快充移动电源 SOC。XB6096IS电源管理IC上海芯龙
放电过程中,实时检测 VBUS 的电压和放电电流。XB8886G电源管理IC上海芯龙
5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g。XB8886G电源管理IC上海芯龙
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...