DS3056B集成了USBType-C接口、PDPHY以及协议层解析功能,支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别,支持PD、QC、BC1.2DCP快充协议。充电时,上限充电效率为98%。集成了高效的锂电池充电管理模块,根据输入电源电压和电池电压自动匹配较佳的充电方式。涓流充电:电池电压<涓流截止电压时,执行涓流充电。恒流充电:当涓流充电使得电池电压>涓流截止电压时,进入恒流充电。恒压充电:当恒流充电使电池电压接近电池充满电压时,进入恒压充电;充电电流降至停充电流时,停止充电。如果电池电压低于复充门限值,则重新开启电池充电。XC3098(磷酸铁锂充电芯片)。XB4142电源管理IC上海如韵

DS5035B单串+无线充方案:单串22.5+无线充。DS5035B是点思针对单节移动电源磁吸无线充市场推出的一颗移动电源SOC。DS5035B单串+无线充方案:单串电池,22.5W功率,支持CA+W输出方式,单击按键开机并显示电量,双击按键关机进入休眠,长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换,支持PD3.1/PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。XS5308A电源管理IC上海芯龙变更连接在 CCSEL 管脚的下拉电阻的阻值,可以配置应用方案为不同的充电功率。

ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。
DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。
过压/欠压保护:放电过程中,DS2730实时监测输入/输出电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭放电通路。
过流保护:放电过程中,利用内部的高精度ADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,首先降低输出功率;如果降低功率后仍然持续过流,则触发过流保护,芯片自动关闭放电通路。
过温保护:放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度(例如,MOS管)。当温度超出预设的保护门限时,降低放电功率。
短路保护:放电过程中,实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时,自动关闭放电通路。 XySemi 锂电保护板生产操作注意事项2。

中压降压型DC-DC恒压转换器是市场需求量的开关电源芯片,覆盖绝大部分电子设备应用需求。芯龙技术采用业界先进的制造工艺,提供输入电压从3.6V到40V,输出功率高达100W,具有高效率、高可靠性、高性价比等优势。芯龙技术提供专门用于车载供电优化的开关电源变换芯片 ;输入工作电压可到45V,兼容常规的车载蓄电池(轿车12V/卡车24V);输出电流能力 0A~5A;系统转换效率高达94%以上;内置恒压恒流控制环路模块,可满足绝大部分车载电子产品的供电应用,例如: 车载充电器、行车记录仪、车载显示屏等。放电过程中,实时检测 VBUS 的电压和放电电流。XB6156G电源管理IC磷酸铁锂充电管理
电池电压低于复充门限值,则重新开启电池充电。XB4142电源管理IC上海如韵
主要参数:针对磷酸铁锂电芯,充电电压3.6V,充电电流可达900mA,耐压30V,OVP=6.8V,采用ESOP8封装。 概述 XC3098VYP是一款完整的恒流恒压线性充电芯片。 r f 或单节锂离子电池。其 ESOP 8 封装和低外部元件数量使 XC3098VYP 非常适合便携式应用。此外,XC3098VYP 专门设计用于在 USB 电源规格范围内工作。需要一个外部检测电阻,并且由于内部 MOSFET 架构而无需阻塞二极管。充电电压固定为 3.6V,充电电流可通过单个电阻器进行外部编程。当达到浮动电压后充电电流降至编程值的 1/10 时,XC3098VYP 自动终止充电周期。当输入电源(墙上适配器或 USB 电源)被移除时,XC3098VYP 系列自动进入低电流状态,将电池漏电流降至 2uA 以下。XB4142电源管理IC上海如韵
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...