上海芯龙半导体技术股份有限公司是一家专注于高性能模拟集成电路研发、设计与销售的公司,结合创新的设计技术和产业链的制造优势,搭建了产业化的“芯片设计+晶圆制造+封装测试”全流程平台,自主研发多项技术并获得国内外近百项发明专利授权,为客户提供、高可靠性的产品及服务。 公司产品主要包括电源管理、信号链、音频功放、MEMS传感器等,广泛应用于汽车电子、工业控制、通讯设备、消费电子、家用电器、安防监控及仪器仪表等领域。 公司始终秉承“专业、专注、务实、创新、高效、沟通”的经营理念,致力成为世界的模拟集成电路服务商。XF5131是赛芯推出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。XB3306A电源管理ICNTC充电管理

中压降压型DC-DC恒压转换器是市场需求量的开关电源芯片,覆盖绝大部分电子设备应用需求。芯龙技术采用业界先进的制造工艺,提供输入电压从3.6V到40V,输出功率高达100W,具有高效率、高可靠性、高性价比等优势。芯龙技术提供专门用于车载供电优化的开关电源变换芯片 ;输入工作电压可到45V,兼容常规的车载蓄电池(轿车12V/卡车24V);输出电流能力 0A~5A;系统转换效率高达94%以上;内置恒压恒流控制环路模块,可满足绝大部分车载电子产品的供电应用,例如: 车载充电器、行车记录仪、车载显示屏等。XB4090I2S电源管理IC芯纳科技赛芯微磷酸铁锂电池保护芯片。

图3: “二芯合一”的锂电池保护方案。 由于内部两个芯片实际仍来自于不同厂商,外形不能很好匹配,因此导致封装形状各异,很多情况下不能采用通用封装。这种封装体积比较大,又不能节省外置元件,所以这种“二芯合一”的方案实际上并省不了太多空间。在成本方面,虽然两个封装的成本缩减成一个封装的成本,但由于这个封装通常比较大,有的不是通用封装,有的为了缩小封装尺寸,需要用芯片叠加的封装形式,因此与传统的两个芯片的方案相比,其成本优势并不明显。 图4是一种真正的将控制器芯片及开关管芯片集成在同一晶圆的单芯片方案。传统方案原理图1中的开关管是N型管,接在图1中的B-与P-之间,俗称负极保护。 图4中的方案由于技术原因,开关管只能改为P型管,接在B+与P+之间,俗称正极保护。用此芯片完成保护板方案后,在检测保护板时用户需要更换测试设备及理念。此方案虽然减少了一定的封装成本,但芯片成本并没有得到减少,在与量大成熟的传统方案竞争时也没有真正的成本优势。相反其与传统方案不相容的正极保护理念成了其推广过程的巨大障碍。
锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路),IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器,用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V,驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET),LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元,误差放大器,330KHz振荡器,斜坡补偿发生器,电流模式PWM控制单元,电感过流保护电路,LED亮度调整单元,芯片关断单元,软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制,改善了瞬态响应特性,简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能,过压保护,LED亮度调整,内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。经销批发赛芯XySemi锂电池保护 XySemi的一级代理商。XC3105AN电源管理IC二合一锂电保护
锂电保护(带船运,XBL6015-SM,DFN1*1)。XB3306A电源管理ICNTC充电管理
XLD6031M18、XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案XB3306A电源管理ICNTC充电管理
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...