XB5352AR12电源管理IC二合一锂电保护

4054是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/ 恒压线性充电器。4054采用SOT23-5L/sot23-6封装，配合较 少的元器件使其非常适用于便携式产品，并且适 合给USB电源以及适配器电源供电。 基于特殊的内部MOSFET架构以及防倒充电路， 4054不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时，热反馈可以调节充 电电流以降低芯片温度。充电电压固定在4.2V/4.35V/4.4V，而充 电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值的1/10，芯片将终止充电循环。当输入电压断开时，4054进入睡眠状态，电池漏电流将降到1uA以下。4054还可以被设置于停机模式。4054还包括其他特性：欠压锁定，自动再充电和充电状态标志。锂电保护（带船运，XBL6015-SM,DFN1*1）。XB5352AR12电源管理IC二合一锂电保护

DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源，但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性，使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容，这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题，进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法，为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值，半导体工艺变得极为复杂，使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法，因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积，不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件，而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案，要么需要CSP（芯片尺寸级封装）型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程，使得制作工程复杂，带来了产生成本上升的课题。XB4155J2S电源管理IC上海芯龙40V耐压、高PSRR,LDO，完全没凸波。

5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g、34033L、9u27、2m2DV、2n2DV、2f1D、a2g1Da、2g2Da2g2Da/、2f1Da、2g3Da、2g3Da/、2g2Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、

XB8089A、XB8089D、XB8089D0、XB8089D3、XB8089G、XB8608AF、XB8608AFJ、XB8608AJ、XB8608G、XB8702I、XB8703I、XB8783A、XB8783AHM、XB8783G、XB8789D0、XB8886A、XB8886AR、XB8886AZ、XB8886G、XB8886I、XB8886M、XB8887A、XB8889A、XB8989AF、XB8989GF、XB8989MF、XB9121H2、XB9241A、XB9241G、XB9901A、XB9901G。XBDL61515JS、XBDL63030JS、XBG4508A、XBG6096MS、XBGL6034QS、XBGL6155MS、XBL6015J2SSM、XBL6015M2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6032J2SSM、XBL6032Q2SSM、XBL6042JSSM、XBL6042QSSM、XBL6083J2SSM、XBM3204BCA、XBM3204DBA、XBM3204JFG、XBM3212DGB、XBM3212JFG、XBM3214BCA、XBM3214DBA、XBM3214DCA、XBM3214DG、BXBM3214JFG、XBM3215MDA、XBM3215DGB、XBM3215JFG、XBR4303A、XBR5152QS、XBR5355A、XBR6096QS、XB4432SKP2、XC3062A、XC3062C、XC3071A、XC3071AT、XC3071C、XC3098VYP、XC3101A、XC3105AX、C3105AN、XC3105C、XC3105CN、XC3106A、XC3106AN、XC3106CN、XC3108RA、XC3108RC、XC3108RD、XC3108VA、XC5011、XC5015、XC5016、XC5071、XC5101、XC5105A、XF5131两串两节保护、带均衡或者不带均衡。

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。正极保护的锂电池保护方案。XB4791TA电源管理IC二合一锂电保护

锂保PCB应用注意事项-布局。XB5352AR12电源管理IC二合一锂电保护

保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。XB5352AR12电源管理IC二合一锂电保护