XLD6031M18、XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案镍氢镍锌电池充电管理。XC3062C电源管理IC磷酸铁锂充电管理

5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g、34033L、9u27、2m2DV、2n2DV、2f1D、a2g1Da、2g2Da2g2Da/、2f1Da、2g3Da、2g3Da/、2g2Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、XB6061I2电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动充电管理、放电保护芯片,电源正负极反接保护,电池极反接保护,兼容大小3mA-1000mA充电电流。

芯纳科技成立于2011年。专注代理赛芯电子XYSEMI和电子元器件的销售服务。提供的产品和方案包括:电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等;广泛应用消费电子:TWS耳机、移动电源、无线充、小家电、智能穿戴等产品、以及工业类电源方案。公司拥有完善的研发和技术支持团队和专业的销售服务团队,凭借专业、务实、创新的文化理念,人性化的管理与完善的流程体系,不断发挥自身优势,整合行业资源,致力于为合作伙伴带来有效增值,为客户的成长与发展竭诚服务,当好供求间之桥梁,谋求产业链的共同发展。
赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案XB430X系列产品。该系列产品采用传统的N型开关管,与传统方案的负极保护原理一致,保护板厂商或电池厂商无需更换任何测试设备或理念。该系列芯片本身就是一个完整的锂电池保护方案,无需外接任何元器件即可实现锂电池保护的功能。为了防止Vcc线上的噪声,建议在使用XB430X系列芯片时在VCC和电池负端之间外接一个电容,如图5所示。XySemi 锂电保护板生产操作注意事项1。

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。多串锂电池保护IC、带均衡或者不带均衡。XB8608AJ电源管理IC赛芯微代理
带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。XC3062C电源管理IC磷酸铁锂充电管理
XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压,并且可使用可外扩MOS型,使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端,可控制变换器的工作状态,可使它处于关断省电状态,功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率:87%l低纹波,低噪声。丝印:E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D E36L DGHG DGHG 7KFG 7KFD E50H E50A E50G b6w 70JC DHJB D4JD D4JF DFJG L30H DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXC3062C电源管理IC磷酸铁锂充电管理
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...