XB6042K2SV电源管理IC赛芯微xysemi

锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护） 辅助信息：电池容量，产品应用 。 电池安全，首先要有保护，再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护，如：过充保护时，一级保护是充电管理，过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时，要考虑到锂电保护是二次保护的特性，锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值（不能有重合区间），锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护）锂电转干电池充放电管理芯片。XB6042K2SV电源管理IC赛芯微xysemi

保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。XB3303A电源管理IC芯纳科技带电池正负极反接保护的充电管理。

磷酸铁锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了锂电池充电管理芯片。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。 磷酸铁锂电池充电管理芯片介绍 磷酸铁锂电池特性较为活泼，对电压电流要求较高，所以需要锂电池管理芯片。磷酸铁锂电池管理芯片就是设计用于保护电池的电路，可以保护电池过放电，过压，过充，过温，可以有效保护锂电池寿命和使用者的安全。 锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了磷酸铁锂电池充电管理芯片，它会根据磷酸铁锂电池的特性自动进行预充、恒流充电、恒压充电。 磷酸铁锂电池充电管理芯片的类型

是一款集成降压变化器，锂电池充电管理，电池电量指示的多功能电源管理SOC，为USB充干电池提供完整的电源解决方案。 XS5301 XS5306 XS5502充电电流和充电电压可调，支持多种规格锂电池应用，充电电流1A.ZCC5600充电电压和电流根据锂电池温度自动调节，更加安全可靠。放电输出1.5V固定电压，高效率高达93%.待机电流低至3uA以内，支持锂电池长时间待机。·充电电流和充电电压外部电阻调节 支持4.2/4.3/4.35/4.4V锂电池充电充电电流400mA-1000mA可调两串两节保护、带均衡或者不带均衡。

DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源，但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性，使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容，这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题，进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法，为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值，半导体工艺变得极为复杂，使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法，因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积，不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件，而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案，要么需要CSP（芯片尺寸级封装）型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程，使得制作工程复杂，带来了产生成本上升的课题。高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片，具有功能全、集成度高，外部电路简单，调节方便。XB5352G电源管理IC二合一锂电保护

适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好。XB6042K2SV电源管理IC赛芯微xysemi

图3： “二芯合一”的锂电池保护方案。 由于内部两个芯片实际仍来自于不同厂商，外形不能很好匹配，因此导致封装形状各异，很多情况下不能采用通用封装。这种封装体积比较大，又不能节省外置元件，所以这种“二芯合一”的方案实际上并省不了太多空间。在成本方面，虽然两个封装的成本缩减成一个封装的成本，但由于这个封装通常比较大，有的不是通用封装，有的为了缩小封装尺寸，需要用芯片叠加的封装形式，因此与传统的两个芯片的方案相比，其成本优势并不明显。 图4是一种真正的将控制器芯片及开关管芯片集成在同一晶圆的单芯片方案。传统方案原理图1中的开关管是N型管，接在图1中的B-与P-之间，俗称负极保护。 图4中的方案由于技术原因，开关管只能改为P型管，接在B+与P+之间，俗称正极保护。用此芯片完成保护板方案后，在检测保护板时用户需要更换测试设备及理念。此方案虽然减少了一定的封装成本，但芯片成本并没有得到减少，在与量大成熟的传统方案竞争时也没有真正的成本优势。相反其与传统方案不相容的正极保护理念成了其推广过程的巨大障碍。XB6042K2SV电源管理IC赛芯微xysemi

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