如韵电子有限公司总部位于上海张江高新产业园嘉定园,并在香港设有研发中心,在深圳设有分公司。2004年创立以来,如韵电子一直采用 Fabless 运作模式 , 拥有强大的研发和销售团队,专注于模拟集成电路的设计、应用和销售,并始终处于技术创新的前沿。如韵产品的生产委托国内的晶圆代工厂、封装厂和测试工厂完成,产品全部实现国产化,并且符合ROHS标准,及各种国际质量体系认证。 公司凭借雄厚的技术实力 , 已经开发出具有自主知识产权的产品类型有:电压检测与复位芯片、充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、低压差线性电压调制芯片、放大器/比较器芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片、模块和MOSFET等。经过市场开拓和发展,在华北、华东、华南、西南等地区拥有庞大的销售网络,几十家专业代理商与我们建立了长期合作关系。芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。XB4908AJ电源管理IC拓微电子

XA9107 是一款 1.0uA 电源电流和快速响应低压差稳压器,专为需要低静态电流、低压差电压和高电源纹波抑制的应用而设计。保证提供300mA的输出电流,并支持预设输出电压版本范围包括1.1V、1.2V、1.3V、1.5V、1.7V、1.8V、1.9V、2.0V、2.3V、2.5V、2.6V、2.7电压、2.8V、2.9V、3.0V、3.3V、3.6V。XA9107 具有针对温度、负载和线路变化的精确 ±2% 输出调节能力,并且XA9107 还集成了许多功能。热关断和过流限制功能可保护器件免受热过载和电流过载的影响。基于其低静态电流消耗和低于 0.1uA(典型值)的关断模式电流,此外,高电源抑制比使该器件能够很好地适应电池操作系统中通常遇到的低输入电压。使用小型陶瓷电容器(典型值为 1.0uF),稳压器即可保持稳定。XBL6042QSSM电源管理IC赛芯微xysemi锂保PCB应用注意事项-布局。

BP5301C、BP6501、BP6901、STP01、STP02、STP03、STP04、STP05、STP06、STP07、XB3001A、XB3095I2S、XB3153IS、XB3153ISF、XB3301A、XB3301AJ、XB3302A、XB3303A、XB3303G、XB3306A、XB3306BR、XB3306D、XB3306G、XB3306IFK、XB3306IR、XB3306I2R、XB4087、XB4088、XB4089、XB4008AJ、XB4090I2S、XB4092I2、XB4092J2、XB4092J2S、XB4092M2、XB4092UA2S、XB4093、XB4128A、XB4142、XB4145、XB4146、XB4148、XB4155I2S、XB4155J2S、XB4158、XB4202A、XB4302A、XB4302G、XB4321A、XB4322A、XB4345A、XB4432SKP2、XB4709I2S、XB4709J2S、XB4733A、XB4791TA、XB4851SKP、XB4902、XB4906AJL、XB4908A、XB4908AJ、XB4908AJL、XB4908GJ、XB4908I、XB4908M。
CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片,输入电压范围2.7V到6V,能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管,不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件,非常适合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。 恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置,恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路,可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时,CN3125自动进入低功耗的睡眠模式,此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。 其他功能包括芯片使能输入端,电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。 CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。

成组的磷酸铁锂电池串联充电时,应保证每节电池均衡充电,否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能,多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU;通过和保护芯片的串行通讯来实现,加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 磷酸铁锂电池还是需要保护板的,成组锂电池串联充电时,应保证每节电池均衡充电,否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。基于磷酸铁锂电池组均衡充电保护板的设计方案,常用的均衡充电技术包括恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。太阳能充电管理方案芯片。XB5350D0电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动
低压差线性稳压器、40V耐压、高PSRR,LDO。XB4908AJ电源管理IC拓微电子
磷酸铁锂电池的充放电反应是在LiFePO4和FePO4两相之间进行。在充电过程中,LiFePO4逐渐脱离出锂离子形成FePO4,在放电过程中,锂离子嵌入FePO4形成LiFePO4。 电池充电时,锂离子从磷酸铁锂晶体迁移到晶体表面,在电场力的作用下,进入电解液,然后穿过隔膜,再经电解液迁移到石墨晶体的表面,而后嵌入石墨晶格中。 与此同时,电子经导电体流向正极的铝箔集电极,经极耳、电池正极柱、外电路、负极极柱、负极极耳流向电池负极的铜箔集流体,再经导电体流到石墨负极,使负极的电荷达至平衡。锂离子从磷酸铁锂脱嵌后,磷酸铁锂转化成磷酸铁。 电池放电时,锂离子从石墨晶体中脱嵌出来,进入电解液,然后穿过隔膜,经电解液迁移到磷酸铁锂晶体的表面,然后重新嵌入到磷酸铁锂的晶格内。 与此同时,电子经导电体流向负极的铜箔集电极,经极耳、电池负极柱、外电路、正极极柱、正极极耳流向电池正极的铝箔集流体,再经导电体流到磷酸铁锂正极,使正极的电荷达至平衡。锂离子嵌入到磷酸铁晶体后,磷酸铁转化为磷酸铁锂。 XB4908AJ电源管理IC拓微电子
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芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...