高压压力控制器，用于控制高压压力或者说排气压力，在风冷式冷凝器风量不足或断风时，水冷式冷凝器水量不足或水温过高，甚至断水时，或其它原因致使高压压力超过压力控制器调定值时，控制器跳开，断开接触器的电路，使压缩机停机，保护系统，高压控制器的调定压力以制冷剂的种类及压缩机的性能有关。高压压力控制器一般比较高排气压力高0.1~0.2MPa左右。低压压力控制器，用于控制低压压力或者吸气压力。当系统缺少制冷剂，或者遇堵塞、忘开阀门，或者热负荷过低，及其它原因导致低压过低时，控制器起跳，断开接触器的电路，使压缩机停机保护压缩机不在过低压力下运转，提高系统运行的经济性。低压控制器的调定值一般都是通用的，即--0.1~--0.55MPa左右。温度控制器哪家好？推荐咨询：上海中和自动化仪表有限公司！青海防爆差压控制器
压电控制器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英（二氧化硅）是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的，在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度超过这个范围之后，压电性质完全消失（这个高温就是所谓的“居里点”）。由于随着应力的变化电场变化微小（也就说压电系数比较低），所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。而酒石酸钾钠具有很大的压电灵敏度和压电系数，但是它只能在室温和湿度比较低的环境下才能够应用。磷酸二氢胺属于人造晶体，能够承受高温和相当高的湿度，所以已经得到了***的应用。辽宁温度控制器什么价格防爆差压控制器哪家好？推荐咨询：上海中和自动化仪表有限公司！
电阻应变片的工作原理金属电阻应变片的工作原理是吸附在基体材料上应变电阻随机械形变而产生阻值变化的现象，俗称为电阻应变效应。金属导体的电阻值可用下式表示：式中：ρ——金属导体的电阻率（Ω·cm2/m）S——导体的截面积（cm2）L——导体的长度（m）我们以金属丝应变电阻为例，当金属丝受外力作用时，其长度和截面积都会发生变化，从上式中可很容易看出，其电阻值即会发生改变，假如金属丝受外力作用而伸长时，其长度增加，而截面积减少，电阻值便会增大。当金属丝受外力作用而压缩时，长度减小而截面增加，电阻值则会减小。只要测出加在电阻的变化（通常是测量电阻两端的电压），即可获得应变金属丝的应变情况。
高压压力控制器用于控制高压压力或者说排气压力，在风冷式冷凝器风量不足或断风时，水冷式冷凝器水量不足或水温过高，甚至断水时，或其它原因致使高压压力超过压力控制器调定值时，控制器跳开，断开接触器的电路，使压缩机停机，保护系统，高压控制器的调定压力以制冷剂的种类及压缩机的性能有关。低压压力控制器，用于控制低压压力或者吸气压力。当系统缺少制冷剂，或者遇堵塞、忘开阀门，或者热负荷过低及其它原因导致低压过低时，控制器起跳，断开接触器的电路，使压缩机停机保护压缩机不在过低压力下运转，提高系统运行的经济性。控制器零售价哪家好？推荐咨询：上海中和自动化仪表有限公司！
现在，压力控制器提供许多基于软件的功能、更快和更多的计算机接口、不同的压力准确度和传感器模块。还提供各种压力控制类型，有些提供高速度和较低的控制精度，有些提供较高的控制精度，但实现设定点的时间较长。这对于传感器制造商(制造各种压力传感器，从低压到高压，从低准确度到高准确度)来说，意味着必须投资许多不同的压力控制标准。在制造低压传感器过程中所用到的压力控制器型号可能与制造高压传感器所用到的压力控制器型号不同；制造低准确度传感器所使用的压力控制器型号可能与制造高准确度传感器所用到的压力控制器型号不一样。即使自动压力控制器已经发展到满足传感器生产管理人员的更多需求，但还没有满足他们对单个压力控制器的较大需求，以满足传感器制造商的所有当前需求和未来需求。机械式压力控制器属于制冷机组压力的控制的元器件。浙江防爆温度控制器出厂价
在制冷系统中会用到很多压力控制器，并由触点的通断对压力进行控制。青海防爆差压控制器
压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistiveeffect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。青海防爆差压控制器
