洁净厂房备用照明的设置应符合下列要求:1.洁净厂房内应设置备用照明。2.备用照明宜作为正常照明的一部分。3.备用照明应满足所需场所或部位进行必要活动和操作的最低照度。洁净厂房内应设置供人员疏散用的应急照明。在安全出口、疏散口和疏散通道转角处应按现行国家标准设置疏散标志。在消防口处应设置红色应急照明灯。——通信洁净厂房内应设置与厂房内外联系的通信装置。洁净厂房内生产区与其它工段的联系,宜设生产对讲电话。洁净厂房根据生产管理和生产工艺特殊需要,宜设置闭路电视监视系统。洁净厂房的生产区(包括技术夹层)、机房、站房等均应设置火灾探测器。洁净厂房生产区及走廊应设置手动火灾报警按钮。洁净厂房应设置消防值班室或控制室,其位置不应设在洁净区内。消防控制室应设置消防电话总机。无菌实验室设计选择成都博一医药设计有限公司。重庆原料药净化工程设计
洁净室(区)外窗设计应符合下列要求:1.当洁净室(区)和人员净化用室设置外窗时,应采用双层玻璃固定窗,并应有良好的气密性。2.靠洁净室室内一侧窗不宜设窗台。3.洁净室内的密闭门应朝空气洁净度较高的房间开启,并加设闭门器,无窗洁净室的密闭门上宜设观察窗。4.洁净室门窗、墙壁、顶棚等的设计应符合下列要求:5.洁净室门窗、墙壁、顶棚、地(楼)面的构造和施工缝隙,均应采取可靠的密闭措施。6.当采用轻质构造顶棚做技术夹层时,夹层内宜设检修通道。7.洁净室窗宜与内墙面齐平,不宜设窗台。8.洁净室内的色彩宜淡雅柔和。室内各表面材料的光反射系数:顶棚和墙面宜为0.6~0.8,地面宜为0.15~0.35。9.对8级以上的洁净室,其墙板和顶棚宜采用轻质壁板构造。成都净化工程设计厂家厂房设计厂家欢迎联系成都博一医药设计有限公司。
洁净厂房低压配电电压应采用220/380V。带电导体系统型式宜采用单相二线制、三相三线制、三相四线制。系统接地的型式宜采用TN-S或TN-C-S系统。洁净厂房的用电负荷等级和供电要求应根据现行国家标准《供配电系统设计规范》(GB50052)和生产工艺要求确定。主要生产工艺设备由变压器或低压馈电线路供电,有特殊要求的工作电源宜设置不间断电源(UPS)。净化空调系统用电负荷、照明负荷应由变电所专线供电。洁净厂房的消防用电设备的供配电设计应按现行国家标准《建筑设计防火规范》(GBJ16)规定执行。电源进线(不包括消防用电)应设置切断装置,并宜设在洁净区外便于管理的地点。洁净室内的配电设备,应选择不易积尘、便于擦拭的小型暗装设备,不宜设置大型落地安装的配电设备。洁净室内的电气管线宜暗敷,穿线导管应采用不燃材料。洁净区的电气管线管口及安装于墙上的各种电器设备与墙体接缝处应有可靠的密封措施。
照明①一般照明它指不考虑特殊的局部需要,为照亮整个被照面积而设置的照明。②局部照明这是指为增加某一指定地点(如工作点)的照度而设置的照明。但在室内照明由一般不单独使用局部照明。③混合照明这是指工作面上的照度由一般照明和局部照明合成的照明,其中一般照明的照度按《洁净厂房设计规范》应占总照度的10%—15%,但不低干150LX。单位被照面积上接受的光通量即是照明单位勒克斯(LX)。国外洁净室的强度要求极高,例如美国关于洁净室的几个标准的要求是.人工光300lx有较好的效果,当工件精细程度更高时,500x也是允许的。对于要红灯照明的地方,如电子行业的光刻车间,其照度一般为(25—501x),用天然光时可允许更高的照度,因而对工作是有利的,所以今后洁净室的照明既采用人工光也采用天然光可能是有前途的,这也是为了节能而出现的一种动向。厂房设计欢迎联系成都博一医药设计有限公司。
1.对甲、乙类生产厂房每层的洁净区总建筑面积不超过50m2,且同一时间内的生产人数不超过5人。2.对丙、丁、戊类生产厂房,应按现行国家标准《建筑设计防火规范》(GBJ16)的规定设置。3.安全出口应当分散布置,从生产地点至安全出口不应经过曲折的人员净化路线,并应设有明显的疏散标志,安全疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》(GBJ16)的规定。4.洁净区与非洁净区、洁净区与室外相通的安全疏散门应向疏散方向开启,并加闭门器。安全疏散门不应采用吊门、转门、侧拉门、卷帘门以及电控自动门。5.洁净厂房与洁净区同层外墙应设可供消防人员通往厂房洁净区的门窗,其洞口间距大于80m时,应在该段外墙的适当部位设置消防口。消防口的宽度应不小于750mm,高度应不小于1800mm,并应有明显标志。楼层的消防口应设置阳台,并从二层开始向上层架设钢梯。6.洁净厂房外墙上的吊门、电控自动门以及宽度小于750mm、高度小于1800mm或装有栅栏的窗,均不应作为火灾发生时提供消防人员进入厂房的入口。中成药净化工程厂房设计口碑厂家怎么选择?成都医用气体净化工程设计
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洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定,但在满足工艺要求的条件下,应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高,出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举,但作为总的原则看,由于加工精度越来越精细,所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中,作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100um的硅片,温度上升1度,就引起了0.24um线性膨胀,所以必须有±0.1度的恒温,同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后,对产品将有污染,特别是怕钠的半导体车间,这种车间温度不宜超过25度,湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时,冷却水管壁上会结露,如果发生在精密装置或电路中,就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以。相对湿度越高,粘附的越难去掉,但当相对湿度低于30%时,又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面,同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产比较好湿度范围为35—45%。重庆原料药净化工程设计
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