这里有三种方案进行对比考虑:一种是,通过过孔互联的这个过孔附近没有任何地过孔,那么,其返回路径只能通过离此过孔250mils的PCB边缘来提供;第二种是,一根长达362mils的微带线;第三种是,在一个信号线的四周有四个地过孔环绕着。图6显示了带有60Ohm的常规线的S-Parameters,从图中可以看出,带有四个地过孔环绕的信号过孔的S-Parameters就像一根连续的微带线,从而提高了S21特性。
由此可知,在信号过孔附近缺少返回路径的情况下,则此信号过孔会增高其阻抗。当今的高速系统里,在时延方面显得尤为重要。 DDR有那些测试解决方案;辽宁DDR测试工厂直销
14.在本发明的一个实施例中,所述相关信号包括dqs信号、clk信号和dq信号,所述标志信号为dqs信号。15.在本发明的一个实施例中,所述根据标志信号对示波器进行相关参数配置,具体包括:16.利用示波器分别采集标志信号在数据读取和数据写入过程中的电平幅值;17.对标志信号在数据读取和数据写入过程中的电平幅值进行比较,确定标志信号的电平阈值;18.在示波器中配置标志信号的电平阈值。19.在本发明的一个实施例中,所述利用示波器的触发功能将ddr4内存的读写信号进行信号分离,具体包括:20.将标志信号的实时电平幅值与标志信号的电平阈值进行比较;21.将大于电平阈值的标志信号和小于电平阈值的标志信号分别进行信号的分离,得到数据读取和数据写入过程中的标志信号。设备DDR测试检查DDR测试信号问题排查;
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DDRSDRAM即我们通常所说的DDR内存,DDR内存的发展已经经历了五代,目前DDR4已经成为市场的主流,DDR5也开始进入市场。对于DDR总线来说,我们通常说的速率是指其数据线上信号的快跳变速率。比如3200MT/s,对应的工作时钟速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情况下每根数据线上比较高传输速率,由于在DDR总线上会有读写间的状态转换时间、高阻态时间、总线刷新时间等,因此其实际的总线传输速率达不到这个理想值。
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6.信号及电源完整性这里的电源完整性指的是在比较大的信号切换情况下,其电源的容差性。当未符合此容差要求时,将会导致很多的问题,比如加大时钟抖动、数据抖动和串扰。这里,可以很好的理解与去偶相关的理论,现在从”目标阻抗”的公式定义开始讨论。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent(1)在这里,关键是要去理解在差的切换情况下瞬间电流(TransientCurrent)的影响,另一个重要因素是切换的频率。在所有的频率范围里,去耦网络必须确保它的阻抗等于或小于目标阻抗(Ztarget)。在一块PCB上,由电源和地层所构成的电容,以及所有的去耦电容,必须能够确保在100KHz左右到100-200MH左右之间的去耦作用。频率在100KHz以下,在电压调节模块里的大电容可以很好的进行去耦。而频率在200MHz以上的,则应该由片上电容或用的封装好的电容进行去耦。DDR规范里关于信号建立;
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DDR的信号仿真验证由于DDR芯片都是采用BGA封装,密度很高,且分叉、反射非常严重,因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真软件中专门针对DDR的仿真模型库仿真出的通道损耗以及信号波形。仿真出信号波形以后,许多用户需要快速验证仿真出来的波形是否符合DDR相关规范要求。这时,可以把软件仿真出的DDR的时域波形导入到示波器中的DDR测试软件中,并生成相应的一致性测试报告,这样可以保证仿真和测试分析方法的一致,并且便于在仿真阶段就发现可能的信号违规。 主流DDR内存标准的比较;辽宁DDR测试工厂直销
DDR信号的眼图模板要求那些定义;辽宁DDR测试工厂直销
对于DDR2和DDR3,时钟信号是以差分的形式传输的,而在DDR2里,DQS信号是以单端或差分方式通讯取决于其工作的速率,当以高度速率工作时则采用差分的方式。显然,在同样的长度下,差分线的切换时延是小于单端线的。根据时序仿真的结果,时钟信号和DQS也许需要比相应的ADDR/CMD/CNTRL和DATA线长一点。另外,必须确保时钟线和DQS布在其相关的ADDR/CMD/CNTRL和DQ线的当中。由于DQ和DM在很高的速度下传输,所以,需要在每一个字节里,它们要有严格的长度匹配,而且不能有过孔。差分信号对阻抗不连续的敏感度比较低,所以换层走线是没多大问题的,在布线时优先考虑布时钟线和DQS。辽宁DDR测试工厂直销
深圳市力恩科技有限公司主要经营范围是仪器仪表,拥有一支专业技术团队和良好的市场口碑。公司自成立以来,以质量为发展,让匠心弥散在每个细节,公司旗下实验室配套,误码仪,协议分析仪,矢量网络分析仪深受客户的喜爱。公司注重以质量为中心,以服务为理念,秉持诚信为本的理念,打造仪器仪表良好品牌。力恩科技凭借创新的产品、专业的服务、众多的成功案例积累起来的声誉和口碑,让企业发展再上新高。
1.目前,比较普遍使用中的DDR2的速度已经高达800Mbps,甚至更高的速度,如1066Mbps,而DDR3的速度已经高达1600Mbps。对于如此高的速度,从PCB的设计角度来帮大家分析,要做到严格的时序匹配,以满足信号的完整性,这里有很多的因素需要考虑,所有的这些因素都有可能相互影响。它们可以被分类为PCB叠层、阻抗、互联拓扑、时延匹配、串扰、信号及电源完整性和时序,目前,有很多EDA工具可以对它们进行很好的计算和仿真,其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比较多。显示了DDR2和DDR3所具有的共有技术要求和专有的技术要求什麽是DDR内存?如何测试...